[发明专利]多层部件和产生方法有效
申请号: | 201080007615.7 | 申请日: | 2010-02-08 |
公开(公告)号: | CN102318017A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | P.杜德塞克;G.普德米希;H.席希尔;E.佩尔;T.费希廷格;W.萨尔茨;C.霍夫曼 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/18 | 分类号: | H01C7/18;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;王洪斌 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 部件 产生 方法 | ||
1.一种陶瓷多层部件,
其被烧结以形成单片块,
其中所述多层部件的一个层包括变阻器陶瓷并且另一层包括电介质,
其中金属化部布置在层上或者层之间,所述金属化部被构造为形成导体部分和金属化区域,
其中变阻器以及包括电容、电阻或电感的至少一个另外的部件由所述金属化部和所述层实现,
其中电介质的至少95-100的重量百分比的比例具有组分
(Zn(3-3x)M3xTa(1-y)M'yO8)k(Zn(2-2x)M2xTa(1-y)M'yO6)m(Bi(2-2z)Se2zZn(2/3-2x/3)M(2x/3Ta(4/3-4y/3)M'4y/3O7)n,
其中和k+n+m=1,以及其中对于每个下标k、m和n彼此独立地成立如下关系:
0≤k, m, n≤1
其中M表示Ni、Co、Fe、Cu、Mg或Ca,
其中M'表示Nb或Sb,以及
其中SE表示一种或多种稀土,
其中对于每个下标x、y和z彼此独立地成立如下关系:0≤x, y, z<1,
其中,对于电介质的所述比例小于100%的情况,高达100%的缺失的比例包括用于适应收缩行为的成分。
2.根据权利要求1所述的多层部件,
其中所述变阻器陶瓷基于掺杂的氧化锌的基础。
3.根据权利要求2所述的多层部件,
其中所述变阻器陶瓷含有选自Bi和Sb的在每种情况下比例为2-3原子百分比的掺杂剂。
4.根据权利要求2或3所述的多层部件,
其中所述变阻器陶瓷含有选自Ni、Co和Cr的各自的比例高达0.5原子百分比的掺杂剂。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的多层部件,
其中所述金属化部由烧结的导电胶形成并且包括银和镨。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的多层部件,
其中所述多层部件中的变阻器陶瓷的层和电介质的层彼此直接叠置布置。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的多层部件,
其具有三明治构造,其中在相同类型的变阻器陶瓷或者电介质的两个层之间布置各自的另一电介质或变阻器陶瓷的层,其中所述三明治构造中的层被布置为彼此直接叠置布置。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的多层部件,
其中集成多样的无源部件,其中除变阻器之外还集成R和C,L和C或者R、L和C元件。
9.根据权利要求8所述的多层部件,
其中在所述单片块中以集成的方式形成由R、C或L元件构成的RF滤波器电路,
其中作为保护部件的变阻器相对于地与所述RF滤波器电路并联连接。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的多层部件,
其中在所述单片块中,形成集成的L和C元件的所构造的金属化部布置在与电介质层相邻的一侧和两侧上并且使用后者作为电介质。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的多层部件,
其中电介质具有介于15和100之间的介电常数。
12.一种用于产生根据权利要求1-11中任一项所述的多层部件的方法,
其中提供以正确的化学计量比含有用于变阻器陶瓷的起始材料的第一未烧结基片以及以正确的化学计量比含有用于电介质的起始材料的第二未烧结基片,
其中使用可烧结的导电胶将金属化部印刷到未烧结基片的一侧和两侧上,
其中彼此叠置地放置至少相应地一个第一和第二未烧结基片,其关于所述金属化部对准并且层叠在一起以形成基片集合体,
其中所述基片集合体被烧结在一起。
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