[发明专利]具有自清洁减反射涂层的基材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201080007637.3 申请日: 2010-01-12
公开(公告)号: CN102317228A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: E·斯幕艾里;A·雷科维奇 申请(专利权)人: 清洁阳光能源有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要:
搜索关键词: 具有 清洁 反射 涂层 基材 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基材,所述基材包含至少部分地层叠有涂布层的表面,所述涂布层包含减反射涂层(ARC)成分和自清洁涂层(SCC)成分的组合,所述涂布层的特征在于低折射、接触角为至少150°并且滑移角为至多10°。

2.如权利要求1所述的基材,其中,所述ARC成分包含多孔二氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的基材,其中,所述ARC成分包含选自由氟化镁、氟化铝、氟化钠、氟化锂、氟化钙、氟化钡、氟化锶、冰晶石或锥冰晶石组成的组中的至少一种减反射剂。

4.如权利要求1~3中任一项所述的基材,其中,所述SCC成分包含纳米结构化剂、微米结构化剂或其组合。

5.如权利要求4所述的基材,所述基材含有包含纳米结构化剂和微米结构化剂的混合物的SCC成分。

6.如权利要求4或5所述的基材,其中,所述纳米结构化剂选自氟硅烷、氟烷基硅烷、烷基硅烷或疏水官能化多面体型低聚硅倍半氧烷(POSS)化合物。

7.如权利要求6所述的基材,其中,所述纳米结构化剂为氟硅烷。

8.如权利要求4~6中任一项所述的基材,其中,所述微米结构化剂选自胶态二氧化硅、沉淀二氧化硅、非沉淀二氧化硅、亲水性气相法二氧化硅、疏水性气相法二氧化硅、胶态二氧化硅、经处理的胶态二氧化硅、硅酸盐、经处理的硅酸盐、PTFE微粉、金属纳米粉末、金属氧化物、无机纳米粉末、氧化物、硫化物、纳米粘土、超支化聚合物或薄水铝石,或者它们的任意组合。

9.如权利要求7所述的基材,其中,所述微米结构化剂为胶态二氧化硅。

10.如权利要求1~8中任一项所述的基材,所述基材包含多层涂层,所述多层涂层包含最接近所述基材表面的第一层和至少一个其他层,所述其他层与所述基材表面一起夹着所述第一层。

11.如权利要求9所述的基材,其中,所述第一叠层包含所述ARC成分。

12.如权利要求10或11所述的基材,其中,所述一个其他叠层包含所述SCC成分。

13.如权利要求4~12中任一项所述的基材,其中,所述SCC成分包含所述纳米结构化剂在由所述微米结构化剂形成的基质中的基本均一的分散体。

14.如权利要求1~13中任一项所述的基材,所述基材包含下述表面,所述表面至少部分地层叠有最接近所述表面的第一涂布层,所述第一涂布层含有包含ARC成分和自清洁涂层(SCC)成分的混合物。

15.如权利要求14所述的基材,其中,所述ARC成分包含二氧化硅类溶胶凝胶,并且所述自清洁涂层(SCC)成分包含胶态二氧化硅和氟硅烷的组合。

16.一种提供权利要求1~15中任一项所述的基材的方法,所述基材具有至少部分地层叠有减反射(AR)自清洁(SC)涂布层的表面,所述方法包括:

(a)提供包含至少一个表面的基材;

(b)在所述表面的至少一部分上涂布包含ARC成分和SCC成分的组合的涂层,以形成AR、SC涂布的基材。

17.如权利要求16所述的方法,其中,涂布所述涂层的步骤包括将所述基材浸入包含所述ARC成分、所述SCC成分或其组合的至少一种涂布液中。

18.如权利要求17所述的方法,其中,涂布所述涂层的步骤包括

-将所述基材浸入包含所述ARC成分的第一涂布液中至少一次,并使所述ARC成分干燥,以形成减反射基材;

-将所述减反射基材浸入包含所述SCC成分的第二涂布液中至少一次,并使所述ARC成分干燥;

由此获得具有至少部分地层叠有减反射(AR)自清洁(SC)涂层的表面的所述基材。

19.如权利要求18所述的方法,所述方法包括在将所述基材浸入所述第一涂布液中至少一次之前,使用极性质子溶剂洗涤所述AR基材至少一次。

20.如权利要求18所述的方法,其中,所述极性质子溶剂为乙醇。

21.如权利要求17~20中任一项所述的方法,所述方法还包括在将所述基材浸入所述第一涂布液中至少一次之前,在所述AR涂层上涂布界面材料。

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