[发明专利]具有金属触点的硅太阳能电池

权利要求书

1.一种硅太阳能电池，包含：

一硅层，具有一发射极层；及

所述发射极层中的至少一个区域，该区域通过化学或电化学 蚀刻来多孔化；

其中所述多孔化区域的至少一个部分具体表现为金属硅化 物，且至少一个金属层被施加于该金属硅化物之上。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金 属层包含镍、铜或银。

3.如前述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于， 所述金属硅化物层的高度小于100纳米。

4.如前述任一权利要求所述的太阳能电池，其特征在于， 所述金属硅化物的金属与施加于所述金属硅化物之上的所述金 属层的金属相同。

5.一种用于生产如权利要求1-4中任一项所述的硅太阳 能电池的方法，该硅太阳能电池由具有一硅层的晶片组成，其 中所述方法包含以下步骤：

使用一蚀刻介质对提供为发射极层的所述硅层或所述已形 成的发射极层进行蚀刻，以使得所述层至少在一个区域中得以 多孔化；

在具有所述发射极层的一晶片侧的表面上产生一经图案化 的屏蔽层，以使得存在具有屏蔽层的一区域及无屏蔽层的一区 域；

对无屏蔽层的所述区域中的所述多孔化发射极层涂布一第 一金属层；

加热所述发射极层及所述第一金属层直至一金属硅化物层 形成；

移除所述屏蔽层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法包含以 下额外的步骤：

对提供为发射极层的所述硅层进行掺杂，以使得形成一发射 极层。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述涂布 的步骤是在无外部电流或无电解的情况下实现的。

8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于， 在一n型掺杂发射极硅层的情况下，所述涂布的步骤是通过以下 步骤来实现的：使所述多孔化硅与包含金属的一电解质之间相 接触，且将金属沉积于所述多孔化与阴极极化硅之中和/或之 上。

9.如权利要求5至8中任一项所述的方法，其特征在于， 在一n型掺杂发射极硅层的情况下，所述硅层的多孔化是由利用 该硅层的阳极极化的电化学蚀刻来实现的。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在电化学蚀刻 期间，以将所述区域浸入所述蚀刻介质中的方式对所述阳极极 化的区域提供所述蚀刻介质。

11.如权利要求8至10中任一项所述的方法，其特征在于， 用于使所述硅阴极或阳极极化的所述电接触的步骤是在所述电 解质的外部实现的。

12.如权利要求8至11中任一项所述的方法，其特征在于， 所述蚀刻介质为包含金属的电解质。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述蚀刻介 质包含氢氟酸、例如一界面活性剂、醇或乙酸的一张力还原剂 及一金属盐。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述蚀刻介 质包含5体积％至10体积％的氢氟酸、溶解至溶解度极限的150 g/l至180g/l的乙酸镍及以十二烷基硫酸钠为形式的一张力还 原剂。

15.如权利要求5至14中任一项所述的方法，其特征在于， 仅将待生产的所述太阳能电池的一侧暴露于电解质。

16.如权利要求5至15中任一项所述的方法，其特征在于， 用于形成所述金属硅化物层的所述加热的步骤是在250℃至700 ℃的范围内，较佳在250℃至400℃的范围内实现的。

17.如权利要求5至16中任一项所述的方法，其特征在于， 在所述金属硅化物层的形成之后，将该剩余的第一金属层移除 且随即再次沉积一第一金属层。

18.如权利要求5至17中任一项所述的方法，其特征在于， 随后在形成所述金属硅化物层的区域中形成一第二金属层。