[发明专利]各向异性导电构件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201080007930.X 申请日: 2010-02-17
公开(公告)号: CN102318141A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 富田忠文;畠中优介;铃木信也;松浦睦;堀田吉则;上杉彰男 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01R11/01 分类号: H01R11/01;H01B5/16;H01B13/00;H01R43/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 各向异性 导电 构件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在所述绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出,

其中所述绝缘基材由树脂材料制成并且所述导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电构件,其中所述导电通路从所述绝缘基材的表面的突出部分具有0.05至30μm的高度和至少1的纵横尺寸比(高度/直径)。

3.根据权利要求1或2所述的各向异性导电构件,所述各向异性导电构件具有20至200μm的绝缘基材厚度和20至500nm的导电通路直径。

4.一种用于制备根据权利要求1至3中任一项所述的各向异性导电构件的各向异性导电构件制备方法,所述各向异性导电构件制备方法至少包括:

(1)阳极氧化处理步骤,其中将铝基板阳极氧化以形成阳极氧化膜;

(2)贯通处理步骤,其中在所述阳极氧化处理步骤之后,将通过阳极氧化形成的微孔贯通以获得微结构体;

(3)导电材料填充步骤,其中在所述贯通处理步骤之后,将导电材料填充在得到的微结构体中的贯通微孔中以形成所述导电通路;

(4)导电通路突出步骤,其中在所述导电材料填充步骤之后,使所述导电通路从所述微结构体的前表面或后表面突出,以获得各向异性导电构件前体;

(5)树脂涂覆步骤,其中在所述导电通路突出步骤之后,用溶剂可溶性树脂涂覆所述各向异性导电构件前体的前表面或后表面的至少一部分;

(6)膜移除步骤,其中在所述树脂涂覆步骤之后,将所述各向异性导电构件前体的所述阳极氧化膜移除;

(7)树脂填充步骤,其中在所述膜移除步骤之后,将其中之前形成有所述阳极氧化膜的部分用溶剂不溶性树脂填充以形成所述绝缘基材;和

(8)树脂移除步骤,其中在所述树脂填充步骤之后,将所述溶剂可溶性树脂移除以获得所述各向异性导电构件。

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