[发明专利]金属构件

权利要求书

1.金属构件，所述金属构件通过以下方式制备：将金属填充在有序度为70％以上的阳极氧化膜的微孔中至5以上的纵横尺寸比，随后在惰性气体气氛中或在真空中在300℃以上至1000℃以下的温度进行烘焙以提高结晶性。

2.纳米柱金属构件或纳米棒金属构件，所述纳米柱金属构件或纳米棒金属构件是通过以下方式制备的纵横尺寸比为5以上的金属构件：将有序度为70％以上的阳极氧化膜的微孔用金属填充至5以上的纵横尺寸比，随后在惰性气体气氛中或在真空中在300℃以上至1000℃以下的温度进行烘焙以提高结晶性，并且除去所述阳极氧化膜。

3.金属构件，其中金属构件的一部分或全部被至少一种贵金属涂覆，所述金属构件为具有0.02μm至0.4μm的直径，10μm至200μm的长度，以及5以上的纵横尺寸比的纳米柱或纳米棒金属构件。

4.一种制备纵横尺寸比为5以上的金属构件的方法，所述方法包括：将金属填充在阳极氧化膜的微孔中至5以上的纵横尺寸比，随后在惰性气体气氛中或在真空中在300℃以上至1000℃以下的温度焙烧以提高结晶性，并且除去所述阳极氧化膜。

5.一种制备纳米柱或纳米棒金属构件的方法，所述方法包括将金属填充在阳极氧化膜的微孔中至5以上的纵横尺寸比，溶解所述阳极氧化膜的一部分以暴露出金属，用不同种类的金属涂覆暴露区域，并且其后将所述阳极氧化膜溶解。

6.根据权利要求5所述的制备金属构件的方法，其中将溶解所述阳极氧化膜的一部分以暴露出所述金属的步骤和用不同种类的金属涂覆所述暴露区域的步骤重复两次以上。

7.一种探针，所述探针使用在权利要求1或3中所述的金属构件。

8.一种用于磁分离或磁色谱的磁性体，所述用于磁分离或磁色谱的磁性体使用在权利要求1或3中所述的金属构件。

9.一种纳米条形码，所述纳米条形码使用在权利要求3中所述的金属构件。

10.一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件通过使用磁场将树脂中的在权利要求2或3中所述的纳米棒取向而获得。