[发明专利]用于OLED面板的像素电路,具有该像素电路的显示设备以及使用该像素电路驱动OLED面板的方法有效
申请号: | 201080007966.8 | 申请日: | 2010-01-06 |
公开(公告)号: | CN102714018A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 崔东旭 | 申请(专利权)人: | 娜我比可隆株式会社 |
主分类号: | G09G3/30 | 分类号: | G09G3/30;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;孙海龙 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 面板 像素 电路 具有 显示 设备 以及 使用 驱动 方法 | ||
1.一种用于有机发光二极管(OLED)面板的像素电路,所述像素电路包括:
开关元件,由通过从多条扫描线中顺序选出的扫描线中的相应一条扫描线输入的扫描信号驱动,且被配置成基于通过多条数据线中的相应一条数据线输入的亮度数据传输驱动电流;以及
OLED,被配置成使用由所述开关元件传输的驱动电流发光。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述开关元件包括晶体管,所述晶体管的栅极端子连接到相应扫描线,所述晶体管的漏极端子连接到相应数据线,且所述晶体管的源极端子连接到所述OLED。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其中所述OLED具有连接到所述晶体管的源极端子的阳极和连接到公共电极的阴极。
4.根据权利要求2所述的像素电路,其中所述晶体管是N型或P型金属氧化物薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的像素电路,其中所述金属氧化物薄膜晶体管包括有源层,所述有源层由选自氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZnO)和氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的任意一种材料制成。
6.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述OLED包括透明OLED(TOLED)。
7.根据权利要求1所述的像素电路,其中所述OLED包括:
基板;
在所述基板上形成的第一电极;
在所述第一电极上形成的有机层;
在所述有机层上形成的第二电极;以及
在所述有机层和所述第二电极之间和/或在所述第二电极上形成的透明层,所述透明层被配置成包括选自由氧化物、氮化物、盐及其混合物组成的组中的任意一种材料。
8.根据权利要求7所述的像素电路,其中所述氧化物包括选自以下氧化物组成的组中的任意一种氧化物:MoO3、ITO、IZO、IO、ZnO、TO、TiO2、SiO2、WO3、Al2O3、Cr2O3、TeO2以及SrO2。
9.根据权利要求7所述的像素电路,其中所述氮化物包括选自由SiN和AIN组成的组中的任意一种氮化物。
10.根据权利要求7所述的像素电路,其中所述盐包括选自以下盐组成的组中的任意一种盐:Cs2CO3、LiCO3、KCO3、NaCO3、LiF、CsF以及ZnSe。
11.根据权利要求7所述的像素电路,其中所述透明层被形成为具有等于或大于0.1nm且小于100nm的厚度。
12.根据权利要求7所述的像素电路,其中所述有机层包括掺杂有选自由低功函数金属及其混合物组成的组中的任意一种的电子输运层以促进电子从所述第二电极的注入。
13.根据权利要求12所述的像素电路,其中所述低功函数金属包括选自由以下金属组成的组中的任意一种金属:Cs、Li、Na、K和Ca。
14.根据权利要求12所述的像素电路,其中所述低功函数金属的混合物可以包括选自由以下混合物组成的组中的任意一种混合物:Li-Al、LiF、CsF和Cs2CO3。
15.根据权利要求7所述的像素电路,其中取决于波长(nm),所述OLED呈现出70%至99%的透射率。
16.一种显示设备,所述显示设备包括:
扫描线驱动电路,用于通过多条扫描线顺序输出扫描信号;
数据驱动电路,用于通过多条数据线传输亮度数据;以及
用于有机发光二极管(OLED)面板的一个或更多像素电路,所述像素电路在矩阵形式的所述扫描线和所述数据线交叉的位置连接和形成,其中,各所述像素电路包括:开关元件,由通过从多条扫描线中顺序选出的扫描线中的相应一条扫描线输入的扫描信号驱动,且被配置成基于通过所述多条数据线中的相应一条输入的亮度数据传输驱动电流;以及OLED,被配置成使用所述开关元件传输的驱动电流发光。
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