[发明专利]具有加固层的半导体芯片

权利要求书

1.一种制造方法，包括下列步骤：

提供具有侧面(40)的半导体芯片(15)；及

在该侧面(40)上形成聚合物层(60)，该聚合物层(60)具有中央部分(65)和空间上与该中央部分(65)分离的第一框部分(70)以定义第一沟道(80)。

2.如权利要求1所述的方法，包括耦合多个焊料结构(90)至该中央部分(65)。

3.如权利要求1所述的方法，包括形成具有矩形覆盖区的该第一框部分(70)。

4.如权利要求1所述的方法，包括形成该第一框部分(70)以定义具有蜿蜒的覆盖区的该第一沟道(80’)。

5.如权利要求1所述的方法，包括在远离该半导体芯片(15”)的该侧面(40)的该第一框部分(75”)的表面形成沟槽(250a)。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该沟槽(250a)延伸围绕该第一框部分(75”)的周围。

7.如权利要求1所述的方法，包括形成具有空间上与该第一框部分(70)分离的第二框部分(75)的该聚合物层(60)以定义第二沟道(85)。

8.一种制造方法，包括：

在半导体芯片(15)的侧面(40)上形成聚合物层(60)，该聚合物层(60)具有中央部分(65)和空间上与该中央部分(65)分离的第一框部分(70)以定义第一沟道(80)；

以该侧面(40)面对衬底(20)但与该衬底(20)分离的方式来耦合该半导体芯片(15)至该衬底(20)以留下接口区域；以及

放置底部填充(30)于该接口区域中，该底部填充的一部分侵入该沟道(80)以在该聚合物层(60)和该底部填充(30)之间建立机械接合。

9.如权利要求8所述的方法，包括在该半导体芯片(15)与该衬底(20)之间形成多个互连(105，110)。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该互连包括焊料接合。

11.如权利要求8所述的方法，包括形成具有矩形覆盖区的该第一框部分(70)。

12.如权利要求11所述的方法，包括形成该第一框部分以定义具有矩形覆盖区的第一沟道(80)。

13.如权利要求8所述的方法，包括形成该第一框部分以定义具有蜿蜒的覆盖区的第一沟道(80’)。

14.如权利要求8所述的方法，包括在远离该半导体芯片(15”)的该侧面的该第一框部分(75”)的表面形成沟槽(250a)。

15.如权利要求14所述的方法，其中，该沟槽(250a)延伸围绕该第一框部分的周围。

16.如权利要求10所述的方法，包括形成具有空间上与该第一框部分分离的第二框部分的该聚合物层以定义第二沟道。

17.一种设备，包括：

具有一侧面(40)的半导体芯片(15)；和

在该侧面(40)上的聚合物层(60)，该聚合物层(60)具有中央部分(65)和空间上与该中央部分(65)分离的第一框部分(70)以定义第一沟道(80)。

18.如权利要求17所述的设备，包括多个耦合到该中央部分的焊料结构(115)。

19.如权利要求17所述的设备，其中，该第一框部分(70)包括矩形的覆盖区。

20.如权利要求19所述的设备，其中，该第一沟道(80)包括矩形的覆盖区。

21.如权利要求17所述的设备，其中，该第一沟道(80’)包括蜿蜒的覆盖区。