[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件，具有氮化物系半导体层叠结构，其中，

所述氮化物系半导体层叠结构包括：

包含Al_aIn_bGa_cN结晶层的活性层，其中，a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0；

Al_dGa_eN溢出抑制层，其中，d+e＝1，d＞0，e≥0；和

Al_fGa_gN层，其中，f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d；

所述Al_dGa_eN溢出抑制层设置在所述活性层与所述Al_fGa_gN层之间；

所述Al_dGa_eN溢出抑制层包括含有浓度在1×10¹⁶atms/cm³以上且8×10¹⁸atms/cm³以下的In的层；

所述氮化物系半导体层叠结构的主面的法线和m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述氮化物系半导体层叠结构是向c轴方向或a轴方向倾斜的半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述氮化物系半导体层叠结构设置在GaN基板上；

所述GaN基板的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述含有In的层配置在所述Al_dGa_eN溢出抑制层中的最靠近所述活性层的位置。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述含有In的层的厚度在Al_dGa_eN溢出抑制层的厚度的一半以下。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述含有In的层中的In浓度随着远离所述活性层而减少。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在所述活性层与所述Al_dGa_eN溢出抑制层之间形成有不掺杂的GaN层。

8.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，该氮化物系半导体发光元件具有氮化物系半导体层叠结构，该制造方法包括：

作为所述氮化物系半导体层叠结构中的一部分而形成包括Al_aIn_bGa_cN结晶层的活性层的工序(a)，其中，a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0；

作为所述氮化物系半导体层叠结构的一部分而形成Al_dGa_eN溢出抑制层的工序(b)，其中，d+e＝1，d＞0，e≥0；和

作为所述氮化物系半导体层叠结构的一部分而形成Al_fGa_gN层的工序，其中，f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d；

在所述工序(b)中，在所述Al_dGa_eN溢出抑制层中形成含有浓度在1×10¹⁶atms/cm³以上且8×10¹⁸atms/cm³以下的In的层；

所述氮化物系半导体层叠结构的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

9.根据权利要求8所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其中，

所述氮化物系半导体层叠结构是向c轴方向或a轴方向倾斜的半导体层。

10.根据权利要求8或9所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其中，

所述含有In的层配置在所述Al_dGa_eN溢出抑制层中的最靠近所述活性层的位置。