[发明专利]真空密封封装、具有真空密封封装的印刷电路基板、电子仪器以及真空密封封装的制造方法

权利要求书

1.一种真空密封封装，具有将第一主体部和成为上述第一主体部的盖部件的第二主体部经由中空部接合而成的封装主体部、以及设置在上述封装主体部的中空部内的吸气剂材料和电子器件，在经由连通上述中空部的内部和上述封装主体部的外部的贯通孔将上述中空部抽成真空的状态下，用密封部件密封上述封装主体部内，该真空密封封装的特征在于，

上述第一主体部具有配线基板，

上述吸气剂材料以及电子器件分别与第一导体焊盘以及第二导体焊盘连接，该第一导体焊盘以及第二导体焊盘分别位于上述中空部内并形成在上述配线基板上，

上述第一导体焊盘经由热传导材料与位于上述中空部外并形成在上述配线基板上的第三导体焊盘电连接，

上述第二导体焊盘与位于上述中空部外并形成在上述配线基板上的第四导体焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的真空密封封装，其特征在于，上述热传导材料为金属材料。

3.根据权利要求1或2所述的真空密封封装，其特征在于，上述热传导材料的周围被绝缘材料所包围。

4.根据权利要求3所述的真空密封封装，其特征在于，上述绝缘材料为玻璃陶瓷、氧化铝、玻璃中的任一种。

5.一种真空密封封装，具有将第一主体部和包含红外线透过窗的第二主体部经由中空部接合而成的封装主体部、以及设置在上述封装主体部的中空部内的吸气剂材料和电子器件，在经由连通上述中空部内和上述封装主体部的外部的贯通孔将上述中空部抽成真空的状态下，用密封部件密封上述贯通孔，该真空密封封装的特征在于，

上述吸气剂材料安装在使其至少一部分能够与激光束接触的位置，该激光束从上述封装主体部的外部照射并透过上述红外线透过窗而到达上述中空部，

上述密封部件通过局部加热上述封装主体部的上述贯通孔的附近并将上述贯通孔的附近熔融而形成。

6.根据权利要求5所述的真空密封封装，其特征在于，上述吸气剂材料配置在上述中空部内，并且安装或成膜于上述第一主体部、上述红外线透过窗以及上述第二主体部的表面中的至少任一处。

7.根据权利要求5或6所述的真空密封封装，其特征在于，上述密封部件由熔点低于上述封装主体部的材料的低熔点材料构成。

8.根据权利要求5至7中的任一项所述的真空密封封装，其特征在于，上述密封部件通过激光束局部加热并熔融上述贯通孔的附近。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的真空密封封装，其特征在于，

在上述贯通孔的附近设置有由熔点低于上述封装主体部的低熔点金属材料构成的低熔点部，

上述低熔点部形成通过对上述贯通孔附近局部加热熔融而封住上述贯通孔的上述密封部件。

10.根据权利要求9所述的真空密封封装，其特征在于，上述低熔点部被激光束局部加热并熔融。

11.根据权利要求5至10中的任一项所述的真空密封封装，其特征在于，成为上述密封部件的材料为Sn或含有Sn的合金材料。

12.一种真空密封封装，具有将第一主体部和第二主体部经由中空部接合而成的封装主体部、以及设置在上述封装主体部的中空部内的吸气剂材料和电子器件，在经由连通上述中空部内和上述封装主体部的外部的贯通孔将上述中空部抽成真空的状态下，用密封部件密封上述封装主体部内，该真空密封封装的特征在于，

在上述贯通孔的附近设置有由熔点低于上述封装主体部的低熔点材料构成的低熔点部，在上述贯通孔中设置有通过对上述贯通孔的附近的低熔点部局部加热、将上述低熔点部熔融而在真空中封住上述贯通孔的上述密封部件，

上述吸气剂材料安装或成膜于上述贯通孔的附近且上述封装主体部的中空部内表面上，

上述吸气剂材料和上述贯通孔的距离被设定为上述低熔点部能够被通过加热上述吸气剂材料产生的热的余热所熔融的距离。

13.根据权利要求12所述的真空密封封装，其特征在于，在上述第二主体部形成有贯通孔，上述低熔点部形成在包括贯通孔的内周部在内的上述第二主体部的整个面上。

14.根据权利要求12或13所述的真空密封封装，其特征在于，上述低熔点部被激光束局部加热并熔融，上述低熔点部的厚度被设计成上述低熔点部被熔融的体积为上述贯通孔的体积以上，上述激光束的光点直径被设定成大于上述贯通孔的直径。