[发明专利]氧化硅玻璃坩埚及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，具有周壁部、弯曲部以及底部，其特征在于：上述周壁部内面的特定区域上设置有多个微小凹部。

2.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：设上述氧化硅玻璃坩埚的高度为H时，上述特定区域位于从上述底部测量高度为0.50H～0.99H的区域内。

3.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：在上述特定区域中，在上述氧化硅玻璃坩埚的高度方向上的每一个以0.1mm～5.0mm范围内的间隔划分的圆环状内面部位上，具有至少1个上述微小凹部。

4.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：上述微小凹部的平均直径是1μm～500μm。

5.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：上述微小凹部的平均深度是上述周壁部的坩埚厚度的0.05％～50％。

6.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：上述微小凹部的平均直径与上述微小凹部的平均深度之比小于0.8。

7.如权利要求1所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：至少上述特定区域被结晶化。

8.如权利要求7所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：上述结晶化是通过至少在上述特定区域内涂布结晶促进剂的方式进行的。

9.如权利要求8所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：上述结晶促进剂是钡粉末。

10.一种单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其中，该单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚具有周壁部、弯曲部及底部，并且，其形成为以天然氧化硅玻璃层为外层以及以合成氧化硅玻璃层为内层的两层结构，该方法的特征在于包括：

形成由天然氧化硅粉构成的外层的工序；

在上述外层的内面上形成由合成氧化硅粉构成的内层的工序；

从上述内层的内面侧产生电弧放电来熔化上述氧化硅粉末，并形成具有周壁部、弯曲部及底部的氧化硅玻璃坩埚的工序；以及

在该氧化硅玻璃坩埚的形成工序之后，在特定区域形成多个微小凹部的工序。

11.如权利要求10所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述微小凹部形成工序包括使用二氧化碳激光或金刚石工具等的物理磨削来形成微小凹部的工序。

12.如权利要求10所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于进一步包括：除去或解除在上述微小凹部形成工序中被导入的加工变形的工序。

13.如权利要求12所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述除去或解除加工变形的工序包括对上述氧化硅玻璃坩埚进行热处理的工序。

14.如权利要求13所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述热处理工序包括在1200～1400℃的范围内对上述氧化硅玻璃坩埚进行加热的工序。

15.如权利要求12所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于包括：上述除去或解除加工变形的工序包括对上述氧化硅玻璃坩埚进行酸处理的工序。

16.如权利要求15所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述酸处理工序包括将上述氧化硅玻璃坩埚多次浸渍于规定的氟化氢酸水溶液中的工序。

17.如权利要求10所述的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于进一步包括：对于上述特定区域导入结晶促进剂的工序。