[发明专利]亲水性多孔基底

权利要求书

1.一种制造官能化基底的方法，所述方法包括以下步骤：

1)提供具有间隙和外部表面的多孔基体基底；

2)用第一溶液饱和所述多孔基体基底，所述第一溶液包含(a)至少一种具有至少一个(甲基)丙烯酸酯基团和至少一个另外的烯键式不饱和可自由基聚合的基团的接枝单体；和任选的(b)一种或多种具有至少一个烯键式不饱和可自由基聚合的基团和亲水性基团的另外的单体；以及任选的链转移剂，其中(a)和/或(b)单体中的至少一者为亲水性的；

3)将所述饱和多孔基体基底暴露于受控量的γ辐射中，以便形成第一官能化基底，所述第一官能化基底包括连接在所述多孔基体基底表面上的接枝聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔基体基底是多微孔的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一溶液包含链转移剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述单体(a)包含聚环氧烷二丙烯酸酯。

5.根据权利要求1所述的方法，其中具有至少一种接枝单体的所述单体(a)包含用于接枝到所述多孔基体基底的第一(甲基)丙烯酸酯基团和用于随后与(a)和/或(b)单体聚合的第二甲基丙烯酸酯基团，所述接枝单体具有至少一个(甲基)丙烯酸酯基团和至少一个另外的烯键式不饱和可自由基聚合的基团。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一溶液包含(b)一种或多种具有可自由基聚合的基团和亲水性基团的另外的单体。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述多微孔基体基底是热致相分离(TIPS)膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多微孔基体基底包括丙烯聚合物TIPS膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述受控量的γ辐射的暴露包含1至15kGy的剂量。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述单体溶液包含：

(a)1重量％至25重量％的(a)单体；

(b)0重量％至25重量％的(b)单体；

(c)0重量％至0.15重量％的链转移剂；和

(e)溶剂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述单体溶液包含：

(a)1重量％至10重量％的(a)单体；

(b)1重量％至10重量％的(b)单体；

(c)0.02重量％至0.15重量％的链转移剂；和

(e)溶剂。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述“(a)”单体由下式表示：

[CH₂＝CR³-C(O)-O]_a-R²-Q-Z_b，

其中Z是丙烯酸酯或非丙烯酸酯烯键式不饱和的可聚合基团，

R³是H或CH₃

Q为选自共价键“-”、-O-、-NR¹-、-CO₂-和

-CONR¹-的二价连接基团，其中R¹为H或C₁-C₄烷基；和

R²是化合价a+b的亚烷基基团，且任选地含有一个或多个链中氧原子和/或一个或多个羟基；并且a和b各自至少为1。

13.根据权利要求12所述的方法，其中R³是CH₃并且Q-Z是甲基丙烯酸酯基团。