[发明专利]电磁辐射传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体传感器的方法，其包括：

提供基体；

在基体上形成反射层；

在反射层上形成牺牲层；

在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层；

在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚的吸收体；以及

移除牺牲层。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在牺牲层中形成至少一个通道；以及

在所述至少一个通道内形成至少一个导电支柱，其中形成吸收体的步骤包括在所述至少一个导电支柱上形成所述至少一个悬伸支脚的至少一部分。

3.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体的步骤包括在牺牲层上形成厚度为大约10nm的吸收体层。

4.根据权利要求1的方法，其中形成吸收体层的步骤包括：

将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物；以及

在将牺牲层的表面暴露于第一自终止反应物之后，将牺牲层的表面暴露于第二自终止反应物。

5.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)型的传感器器件，其包括：

互补金属氧化物半导体(CMOS)基体；

形成于所述基体上的至少一个反射元件；以及

与所述至少一个反射元件隔开的至少一个吸收体，所述至少一个吸收体通过原子层沉积形成。

6.根据权利要求5的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度小于50nm。

7.根据权利要求6的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度大约是10nm。

8.根据权利要求6的传感器器件，其中所述至少一个吸收体与所述至少一个反射元件隔开大约2.5μm。

9.根据权利要求5的传感器器件，还包括：

从CMOS基体向上延伸的至少一个导电支柱；以及

由所述至少一个导电支柱支撑的至少一个悬伸支脚，所述至少一个悬伸支脚支撑着所述至少一个吸收体。

10.根据权利要求9的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。

11.根据权利要求5的传感器器件，还包括：

从CMOS基体向上延伸的至少一个悬伸支脚，所述至少一个悬伸支脚支撑着所述至少一个吸收体。

12.根据权利要求11的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。

13.根据权利要求5的传感器器件，其中：

所述至少一个反射元件包括多个反射元件；并且

所述至少一个吸收体包括通过原子层沉积形成的多个吸收体。

14.根据权利要求5的传感器器件，其中所述至少一个吸收体是由钛和铂构成的金属组及其合金中的至少一种所形成。

15.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)型的传感器器件，其包括：

互补金属氧化物半导体(CMOS)基体；

形成于所述基体上的至少一个反射元件；以及

与所述至少一个反射元件隔开的至少一个吸收体，所述至少一个吸收体的最大厚度小于50nm，并且具有良好的噪音等效温差(NETD)。

16.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体通过原子层沉积形成。

17.根据权利要求16的传感器器件，其中所述至少一个吸收体的最大厚度是大约10nm。

18.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体与所述至少一个反射元件隔开大约2.5μm。

19.根据权利要求15的传感器器件，还包括：

至少一个悬伸支脚，其在所述至少一个反射元件上方支撑着所述至少一个吸收体。

20.根据权利要求19的传感器器件，其中所述至少一个悬伸支脚通过原子层沉积形成。

21.根据权利要求20的传感器器件，其中：

所述至少一个反射元件包括多个反射元件；并且

所述至少一个吸收体包括通过原子层沉积形成的多个吸收体。

22.根据权利要求15的传感器器件，其中所述至少一个吸收体是由钛和铂构成的金属组及其合金中的至少一种所形成。