[发明专利]用于光子器件的透明基材无效
申请号: | 201080008687.3 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102326274A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | B·多莫克;P·罗奎尼;D·德克鲁普特 | 申请(专利权)人: | 旭硝子欧洲玻璃公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/10;C03C17/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨勇 |
地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光子 器件 透明 基材 | ||
1.用于光子器件的透明基材(1),该基材包含载体(10)和电极(11),所述电极(11)包含叠层结构,该叠层结构包含单一的金属导电层(112)和至少一个涂层(110),所述涂层具有改善通过所述电极的光透射的性能,所述涂层(110)具有至少大于3nm并且至多小于或等于200nm的几何厚度,所述涂层(110)包含至少一个改善光透射的层(1101)并位于金属导电层(112)和载体(10)之间,所述电极(11)沉积于所述载体上,其特征在于具有改善光透射的性能的涂层(110)的光学厚度TD1和金属导电层(112)的几何厚度TME由以下关系关联:
TME=TME_0+B*sin(∏*TD1/TD1_0)/n3载体
其中TME_0、B和TD1_0为常数,TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值,B具有在10.0至16.5范围内的值,并且TD1_0具有在23.9*nD1nm至28.3*nD1nm范围内的值,nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率,n载体表示载体在550nm的波长下的折射率。
2.根据权利要求1的透明基材,其特征在于载体(10)的折射率n载体具有在550nm的波长下至少等于1.2的值。
3.根据以上权利要求任意之一的透明基材,其特征在于改善光透射的涂层(110)的折射率大于载体(10)的折射率。
4.根据以上权利要求任意之一的透明基材,其特征在于载体(10)具有在550nm的波长下在1.4和1.6之间的折射率。
5.根据权利要求4的透明基材,其特征在于金属导电层(112)的几何厚度至少等于16.0nm并且至多等于29.0nm,并且其中改善光透射的涂层(110)的几何厚度至少等于20.0nm并且至多等于40.0nm。
6.根据权利要求1至4任意之一的透明基材,其特征在于载体具有在550nm的波长下等于1.5的折射率,并且金属导电层(112)的几何厚度至少等于6.0nm并且至多等于22.0nm,并且其中改善光透射的涂层(110)的几何厚度至少等于50.0nm并且至多等于130.0nm。
7.根据以上权利要求任意之一的透明基材,其特征在于该电极包含改善光透射的涂层(110),该涂层包含至少一个额外的结晶层(1102),相对于载体(10),所述结晶层(1102)是构成所述涂层(110)的叠层结构中最远的层。
8.根据权利要求7的透明基材,其特征在于结晶层(1102)的几何厚度至少等于改善光透射的涂层(110)的总几何厚度的7%。
9.根据以上权利要求任意之一的透明基材,其特征在于电极(11)包含表面电学性能均一化薄层(114),所述薄层相对于载体(10)位于构成所述电极(11)的多层叠层结构的顶部。
10.根据以上权利要求任意之一的透明基材,其特征在于电极(11)包含位于金属导电层(112)和均一化薄层(114)之间的至少一个额外的插入层(113)。
11.根据权利要求10的透明基材,其特征在于插入层(113)的几何厚度(Ein)使得一方面其欧姆厚度至多等于1012欧姆,其中欧姆厚度等于一方面构成插入层的材料的电阻率(ρ)与另一方面该同一层的几何厚度(1)之比;另一方面,插入层的几何厚度与有机电致发光器件的第一有机层的几何厚度(Eorg)通过关系Eorg=Ein-A相关,术语第一有机层指的是位于插入层和有机电致发光层之间的所有有机层,其中A是具有在5.0至75.0nm、优选20.0至60.0nm、更优选30.0至45.0nm的范围内的值的常数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择