[发明专利]对称负载延迟单元振荡器有效

专利信息
申请号: 201080008726.X 申请日: 2010-02-23
公开(公告)号: CN102326332A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 杰弗里·M·欣里希斯 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03;H03K5/13;H03L7/099
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 对称 负载 延迟 单元 振荡器
【权利要求书】:

1.一种振荡器,其包含:

延迟单元,其包含:

第一对称负载,其包含电流源连接式晶体管、二极管连接式晶体管及电平移位电路,其中所述电流源连接式晶体管的漏极耦合到所述二极管连接式晶体管的漏极;以及

控制电路,其控制所述电平移位电路,使得所述电平移位电路调整所述二极管连接式晶体管的栅极电压,其中所述栅极电压的所述调整致使所述延迟单元的输出信号的摆动下限在所述振荡器的振荡频率改变时大体上恒定。

2.根据权利要求1所述的振荡器,其中在超过百分之三百的振荡频率范围内,所述摆动下限改变不超过百分之五。

3.根据权利要求1所述的振荡器,其中所述控制电路接收频率控制输入信号,其中所述频率控制输入信号的变化相对于所述振荡器的所述振荡频率的对应变化具有大体上线性的关系,且其中在超过百分之三百的振荡频率范围内,所述振荡频率由于振荡频率与频率控制输入信号的完全线性的关系而改变不超过百分之十。

4.根据权利要求1所述的振荡器,其中所述延迟单元进一步包含第二对称负载,所述第二对称负载包括电流源连接式晶体管、二极管连接式晶体管及电平移位电路,其中所述第二对称负载的所述电流源连接式晶体管的漏极耦合到所述第二对称负载的所述二极管连接式晶体管的漏极,且其中所述控制电路控制所述第二对称负载的所述电平移位电路。

5.根据权利要求4所述的振荡器,其中所述延迟单元进一步包含尾电流源晶体管,其中所述控制电路将第一偏压信号供应到所述第一对称负载的所述电流源连接式晶体管的栅极上,且供应到所述第二对称负载的所述电流源连接式晶体管的栅极上,且其中所述控制电路将第二偏压信号供应到所述尾电流源晶体管的栅极上。

6.根据权利要求5所述的振荡器,其中所述延迟单元进一步包含第一开关晶体管及第二开关晶体管,所述第一开关晶体管具有耦合到所述第一对称负载的漏极,且具有耦合到所述尾电流源晶体管的源极,所述第二开关晶体管具有耦合到所述第二对称负载的漏极,且具有耦合到所述尾电流源晶体管的源极,其中所述第一开关晶体管的栅极是所述延迟单元的第一输入节点,且所述第一开关晶体管的所述漏极是所述延迟单元的第一输出节点,且其中所述第二开关晶体管的栅极是所述延迟单元的第二输入节点,且所述第二开关晶体管的所述漏极是所述延迟单元的第二输出节点。

7.根据权利要求1所述的振荡器,其中所述电平移位电路包含:

第一晶体管,其具有栅极、源极及漏极,其中所述第一晶体管的所述栅极耦合到所述电流源连接式晶体管的所述漏极,且耦合到所述二极管连接式晶体管的所述漏极,其中所述第一晶体管的所述漏极耦合到供电电压节点,且其中所述第一晶体管的所述源极耦合到所述二极管连接式晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的振荡器,其中所述第一晶体管具有大致零伏的阈值电压。

9.根据权利要求7所述的振荡器,其中所述电平移位电路进一步包含:

第二晶体管,其具有栅极、源极及漏极,其中所述第二晶体管的所述漏极耦合到所述电平移位电路的所述第一晶体管的所述源极,其中所述电平移位电路的所述第二晶体管的所述源极耦合到接地节点,且其中所述第二晶体管的所述栅极经耦合以接收来自所述控制电路的摆动下限控制信号(LSLCS)。

10.根据权利要求1所述的振荡器,其中所述控制电路包含:

复制品对称负载,其中所述复制品对称负载包括电流源连接式晶体管、二极管连接式晶体管及电平移位电路,其中所述复制品对称负载的所述电流源连接式晶体管的漏极耦合到所述复制品对称负载的所述二极管连接式晶体管的漏极;以及

反馈控制电路,其具有第一输入节点、第二输入节点及输出节点,其中所述第一输入节点耦合到所述复制品对称负载的所述电流源连接式晶体管的所述漏极,且耦合到所述复制品对称负载的所述二极管连接式晶体管的所述漏极,且其中所述输出节点耦合到所述复制品对称负载的所述电平移位电路,且耦合到所述延迟单元的所述第一对称负载的所述电平移位电路。

11.根据权利要求10所述的振荡器,其中所述反馈控制电路为差分放大器,且其中所述反馈控制电路的所述第二输入节点经耦合以接收参考电压。

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