[发明专利]沉积具有低界面污染的层的方法

权利要求书

1.一种沉积层的方法，包括以下步骤：

在还原气氛中将含硅层退火，所述含硅层上设置有第一层；

在退火后利用蚀刻工艺来去除所述第一层以暴露所述含硅层；以及

将第二层沉积在暴露的含硅层上。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述还原气氛包括在非等离子体状态下的还原气体。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述还原气氛包括由还原气体所形成的等离子体。

4.如权利要求2至3任一项所述的方法，其中所述还原气体包括氢气，或者所述还原气体包括氮气、氩或氦中的至少一种以及氢气。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中所述退火步骤还包括：

在从约100℃至约700℃的温度下将所述含硅层退火。

6.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中所述退火步骤还包括：

在从约300℃至约700℃的温度下将所述含硅层退火。

7.如权利要求1至5任一项所述的方法，其中所述退火步骤还包括：

以长达约1分钟的持续时间将所述含硅层退火。

8.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述退火步骤还包括：

以少于约30秒的持续时间将所述含硅层退火。

9.如权利要求1至8任一项所述的方法，其中所述蚀刻工艺还包括：

利用由蚀刻气体形成的等离子体蚀刻所述第一层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻气体包括三氟化氮或氨的至少一种。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻工艺还包括：

利用所述等离子体将所述第一层至少部分地转换成可升华固体，以及通过在高于约100℃的温度下将所述含硅层退火，来去除所述可升华固体。

12.如权利要求1至11任一项所述的方法，还包括：

在第一腔室中执行所述退火步骤；

在惰性气氛中将所述含硅层在第一腔室与第二腔室之间进行传送；

在所述第二腔室中执行所述去除步骤；

在惰性气氛中将所述含硅层在第二腔室与第三腔室之间进行传送；以及

在第三腔室中执行所述沉积步骤，其中第一腔室与第三腔室是相同腔室或不同腔室。

13.如权利要求1至12任一项所述的方法，其中所述第一层包括氧化物层。

14.如权利要求1至13任一项所述的方法，其中所述含硅层包括硅、硅锗、碳化硅、硅磷、硅硼、硅锗硼、硅锗磷或硅碳磷的至少一种，其中所述第二层包括硅、硅锗、碳化硅、硅磷、硅硼、硅锗硼、硅锗磷、硅碳磷、砷化镓、砷化铝、砷化铟、锑化铝、锑化铟、锑化镓、磷化镓、磷化铝或磷化铟的至少一种。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述含硅层是硅而所述第二层是硅锗。