[发明专利]无机多孔支持体-沸石膜复合体、其制造方法和使用其的分离方法无效

专利信息
申请号: 201080009249.9 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN102333584A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 杉田美树;武胁隆彦;大岛一典;藤田直子 申请(专利权)人: 三菱化学株式会社
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D61/36;B01D69/10;C01B39/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;赵冬梅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 无机 多孔 支持 沸石膜 复合体 制造 方法 使用 分离
【权利要求书】:

1.一种无机多孔支持体-沸石膜复合体,其特征在于,无机多孔支持体含有陶瓷烧结体,且作为沸石膜在无机多孔支持体表面具有CHA型沸石结晶层。

2.一种无机多孔支持体-沸石膜复合体,其特征在于,作为沸石膜具有CHA型沸石结晶层,且在对沸石膜表面进行X射线照射而得到的X射线衍射图谱中,2θ=17.9°附近的峰强度为2θ=20.8°附近的峰强度的0.5倍以上。

3.一种无机多孔支持体-沸石膜复合体,其特征在于,作为沸石膜具有CHA型沸石结晶层,且在对沸石膜表面进行X射线照射而得到的X射线衍射图谱中,2θ=9.6°附近的峰强度为2θ=20.8°附近的峰强度的4倍以上。

4.权利要求1所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,在对沸石膜表面进行X射线照射而得到的X射线衍射图谱中,2θ=17.9°附近的峰强度为2θ=20.8°附近的峰强度的0.5倍以上。

5.权利要求1、2或4所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,在对沸石膜表面进行X射线照射而得到的X射线衍射图谱中,2θ=9.6°附近的峰强度为2θ=20.8°附近的峰强度的4倍以上。

6.权利要求1~5的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,沸石结晶层的SiO2/Al2O3摩尔比为5以上。

7.权利要求1~6的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,所述复合体能够透过含有有机物的气体或液体的混合物中的透过性高的物质,从该混合物中分离出该透过性高的物质。

8.权利要求7所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,含有有机物的气体或液体的混合物为有机物与水的混合物。

9.权利要求7或8所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,有机物为有机酸。

10.权利要求7或8所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,有机物为选自醇、醚、醛、酮和含氮的有机化合物中的至少一种。

11.权利要求1~10的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体,其中,无机多孔支持体含有选自氧化铝、二氧化硅和莫来石中的至少一种。

12.一种无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,其是制造权利要求1~11的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的方法,该制造方法的特征在于,其包含使CHA型沸石在无机多孔支持体表面结晶化的工序。

13.权利要求12所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,其中,在使沸石的晶种附着至无机多孔支持体表面后,使CHA型沸石结晶化。

14.权利要求13所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,其中,沸石的晶种为CHA型沸石。

15.权利要求12~14的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,其特征在于,使用将含有Si元素源和Al元素源的反应混合物按照Si与Al的比以各氧化物换算来表示的(SiO2/Al2O3)摩尔比为5~10000的方式作为原料来进行CHA型沸石的结晶化。

16.权利要求15所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,其特征在于,在反应混合物中存在碱金属离子。

17.权利要求15或16所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体的制造方法,该方法进一步使用有机模板剂作为原料,且有机模板剂为从1-金刚烷胺衍生出的阳离子。

18.一种分离膜,其含有权利要求1~11的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体。

19.一种分离方法,其特征在于,使含有有机物的气体或液体的混合物与权利要求1~11的任一项所述的无机多孔支持体-沸石膜复合体接触,使该混合物中透过性高的物质透过,由此从该混合物中分离出该透过性高的物质。

20.权利要求19所述的分离方法,其中,含有有机物的气体或液体的混合物为有机酸与水的混合物。

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