[发明专利]真空加热装置、真空加热处理方法有效
申请号: | 201080009467.2 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN102334178A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 吉元刚;山根克己;大野哲宏;沟口贵浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 加热 装置 处理 方法 | ||
1.一种真空加热装置,其具有:
电压变换装置,其被输入三相交流电源所输出的三相交流电压,并将所述三相交流电压的大小被变换后的交流电压作为二次电压输出;以及
多个负载,其各设置有规定个数的能并联通电的加热灯,
对所述加热灯输入所述二次电压,从所述加热灯放射热射线,
其中,所述真空加热装置构成为:
所述电压变换装置具有:
三相变压器,其具有进行Y接线或△接线并被施加三相交流电压的三个一次绕组、和与所述一次绕组分别磁耦合的三个二次绕组,一个所述二次绕组向一个所述负载分别供给电力;以及
斯科特变压器,其具有M座变压器和T座变压器,所述M座变压器内的M座一次绕组的两端与作为所述三相交流电压中的任一相的、相互不同的一相分别连接,所述T座变压器内的T座一次绕组的一端连接于将所述M座一次绕组的匝数二分割的中点,另一端连接于所述三相交流电压中剩余的一相,与所述M座一次绕组磁耦合的二次绕组和与所述T座一次绕组磁耦合的二次绕组做成相同的匝数,所述T座一次绕组做成所述M座一次绕组的( )/2倍的匝数,
使用多个所述三相变压器和一个以上的所述斯科特变压器,
选择当进行合计时成为负载的个数N的3的倍数p和2的倍数q,
对所述3的倍数p个负载通过所述三相变压器供给电力,
对所述2的倍数q个负载通过所述斯科特变压器供给电力,使所述加热灯发热。
2.根据权利要求1所述的真空加热装置,其中,
所述负载设有3的倍数以外的个数。
3.根据权利要求1或权利要求2的任一项所述的真空加热装置,其中,
所述负载具有并联连接有多个所述加热灯的第一模块和并联连接有与所述第一模块相同数目的所述加热灯的第二模块,
所述三相变压器和所述斯科特变压器内的所述二次绕组中,将匝数二分割的中点被接地,在所述第一模块和所述第二模块连接有双向开关,
所述第一模块与所述双向开关的串联电路、和所述第二模块与所述双向开关的串联电路连接于所述二次绕组的一端与另一端之间。
4.一种真空加热处理方法,其使3的倍数以外的个数的、各设置有规定个数的并联通电的加热灯的负载通电发热,在真空环境内加热处理对象物,其中,
在所述负载中,分为3的倍数的个数和2的倍数的个数,
将三相变压器内的三个一次绕组进行Y接线或△接线并施加三相交流电压,在多个所述三相变压器内的与所述一次绕组分别磁耦合的相同匝数的二次绕组上连接3的倍数个数的负载,
对斯科特变压器内的M座一次绕组的两端施加所述三相交流电压中不同相的交流电压,
在将所述M座一次绕组的匝数二分割的中点,连接所述M座一次绕组的()/2倍的匝数的T座一次绕组的一端,对另一端施加所述三相交流电压中剩余的相的交流电压,
在一个以上的所述斯科特变压器内的与所述M座一次绕组和所述T座一次绕组分别磁耦合的相同匝数的二次绕组上,连接2的倍数的所述负载,并对所述负载内的所述加热灯通电使其发热。
5.根据权利要求4所述的真空加热处理方法,其中,
预先设定相比室温为高温且相比使所述处理对象物升温的处理温度为低温的变更温度,
在使所述加热灯从比所述变更温度低的低温升温时,在所述加热灯达到所述变更温度之前,设于所述二次绕组与所述负载之间的双向开关通过相位控制使所述加热灯升温,所述相位控制为在所述二次绕组所感应的电压达到峰值电压后减少的期间导通、在成为零V时断开的相位控制。
6.根据权利要求5所述的真空加热处理方法,其中,
当所述加热灯相比所述变更温度为高温时,通过将在所述二次绕组所感应的电压从零V到零V的半波长的180°的期间使所述双向开关导通的导通期间和使所述双向开关断开的断开期间混合存在的循环控制,使所述加热灯升温。
7.根据权利要求6所述的真空加热处理方法,其中,
控制所述循环控制的所述导通期间和所述断开期间的比例,将所述加热灯的温度维持在比所述变更温度高温的处理温度。
8.根据权利要求7所述的真空加热处理方法,其中,
在停止向所述加热灯的通电、所述加热灯的温度从所述处理温度降低时,当达到比所述室温高温的最低温度时,通过所述循环控制使所述加热灯升温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造