[发明专利]发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造发光器件(LED)的方法，所述方法包括：

形成镓氧化物层；

在所述镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；

在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极层；以及

分离所述镓氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述镓氧化物层包括在第一衬底上形成所述镓氧化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，分离所述镓氧化物层包括：

在大约200℃至大约900℃的温度下，加热所述镓氧化物层；以及

快速地冷却所述镓氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述第一导电类型半导体层包括第一导电类型GaN半导体层，并且通过由于所述镓氧化物层和所述第一导电类型GaN半导体层之间的热膨胀系数差异而导致的界面应力来分离所述镓氧化物层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述镓氧化物层具有大约8.2×10^-6/℃至大约8.5×10^-6/℃的热膨胀系数，并且所述第一导电类型GaN半导体层具有大约5.7×10^-6/℃的热膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述镓氧化物层沿着(100)或者(001)面被解理。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：在分离所述镓氧化物层之后，在所述第一导电类型半导体层上形成表面粗糙部分。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：在分离所述镓氧化物层之后，对所述镓氧化物层的表面执行氮化工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：在分离所述镓氧化物层之后，对暴露的第一导电类型半导体层执行湿法蚀刻工艺。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，快速冷却速度超过每分钟大约50℃。

11.一种用于制造发光器件(LED)的方法，所述方法包括：

形成镓氧化物层；

在所述镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；

在所述第二导电类型半导体层上形成非导电衬底；

分离所述镓氧化物层

在所述第一导电类型半导体层上形成导电衬底；以及

分离所述非导电衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，分离所述镓氧化物层包括：

在大约200℃至大约900℃的温度下，加热所述镓氧化物层；以及

快速地冷却所述镓氧化物层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述第一导电类型半导体层包括第一导电类型GaN半导体层，并且通过由于所述镓氧化物层和所述第一导电类型GaN半导体层之间的热膨胀系数差异而导致的界面应力来分离所述镓氧化物层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述镓氧化物层具有大约8.2×10^-6/℃/℃至大约8.5×10^-6/℃的热膨胀系数，并且所述第一导电类型GaN半导体层具有大约5.7×10^-6/℃的热膨胀系数。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，所述镓氧化物层沿着(100)或者(001)面被解理。

16.一种用于制造发光器件(LED)的方法，所述方法包括：

形成镓氧化物层；

在所述镓氧化物层上形成氮化物半导体层；

分离所述镓氧化物层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，其中，分离所述镓氧化物层包括：

在大约200℃至大约900℃的温度下，加热所述镓氧化物层；以及

快速地冷却所述镓氧化物层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，在分离所述镓氧化物层中，通过由于所述镓氧化物层和所述氮化物半导体层之间的热膨胀系数差异而导致的界面应力来分离所述镓氧化物层。