[发明专利]太阳能级硅的制备方法

权利要求书

1.太阳能级硅的制备方法，包括：在含有硅的过共晶熔融二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中，将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述合金为Al-Si、Zn-Si或Al-Zn-Si合金。

3.根据前面任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述合金为Al-Si合金。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在精制硅熔体中进行。

5.根据前面任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，通过离心作用或过滤进行上述分离。

6.一种用于形成、分离和熔融大的纯硅晶体的半连续方法，其中将预纯化的含有硅的二元或三元过共晶合金或精制硅熔体转移至熔炉，该熔炉具有从上到下的温度梯度，随后将小的纯硅晶体加入熔炉中的熔体，由于温差，小的纯硅晶体在熔体中生长，直至该熔炉中的熔体达到共晶成分，随后将所述熔体从熔炉中转移出而转变为过共晶态，然后放回熔炉，重复该方法，直至形成一定数量的大的硅晶体。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述熔体的预纯化和使所述熔体达到过共晶态的过程在第一熔炉中进行，该第一熔炉连接至用于上述方法的所述熔炉。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述合金为二元Al-Si合金。

9.根据权利要求6所述的方法，将在所述熔炉中得到的含有大的硅晶体的熔体转移至离心机，将离心机内的温度保持在熔体的共晶温度以上，在离心机上，晶体被推向离心机的壁，含有硅的熔体留在离心机的中心，然后将该含硅的熔体从离心机中倒出。

10.根据权利要求6至9中任意一项所述的方法，其特征在于，将得到的所述晶体重新熔融，并转化为用于太阳能级硅的铸块。