[发明专利]氮化物系半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件，其中，具有：

以m面为主面的n型GaN基板；

在所述n型GaN基板之上以接触的方式所形成的电流扩散层；

在所述电流扩散层之上形成的n型氮化物半导体层；

在所述n型氮化物半导体层之上形成的活性层；

在所述活性层之上形成的p型氮化物半导体层；

以与所述p型氮化物半导体层接触的方式形成的p侧电极；和

以与所述n型GaN基板或所述n型氮化物半导体层接触的方式所形成的n侧电极，

并且，所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以下，

所述电流扩散层的施主杂质浓度是所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度的10倍以上。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的施主杂质浓度是n型GaN基板的施主杂质浓度的10倍以上。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的施主杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以上、5×10¹⁹cm^-3以下。

4.根据权利要求2所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述n型GaN基板的施主杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的厚度为25nm以上、2μm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的施主杂质是硅。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

作为所述电流扩散层的施主杂质，还掺杂有氧。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的施主杂质浓度为1×10¹⁹cm^-3以上。

9.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在由所述电流扩散层、所述n型氮化物半导体层、所述活性层、所述p型氮化物半导体层构成的半导体层叠结构的一部分，形成有凹部，

在所述凹部的侧面露出所述p型氮化物半导体层和所述活性层，在所述凹部的上面露出所述n型氮化物半导体层，在所述n型氮化物半导体层之上设有所述n侧电极。

10.根据权利要求2所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在所述n型GaN基板中与所述电流扩散层接触的面相对向的面上，设有所述n侧电极。

11.根据权利要求5所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述电流扩散层的厚度为25nm以上、400nm以下。

12.一种氮化物系半导体发光元件，其中，具有：

n型GaN基板；

在所述n型GaN基板之上以接触的方式所形成的电流扩散层；

在所述电流扩散层之上所配置的n型氮化物半导体层；

所述n型氮化物半导体层上的活性层；

所述活性层上的p型氮化物半导体层；

以与所述p型氮化物半导体层接触的方式所形成的p侧电极；和

以与所述n型GaN基板或所述n型氮化物半导体层接触的方式所形成的n侧电极，

并且，所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度为5×10¹⁸cm^-3以下，

所述电流扩散层的施主杂质浓度是所述n型氮化物半导体层的施主杂质浓度的10倍以上，

且所述n型GaN基板的主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上、5°以下。

13.根据权利要求12所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述n型GaN基板是朝c轴方向或a轴方向倾斜的半导体层。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

通过一边供给气源一边使基板温度上升而形成所述电流扩散层。