[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，包含：

激光构造体，包括由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支持基体、以及设置于上述支持基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及

电极，设置于上述激光构造体的上述半导体区域上，

上述半导体区域包括：

第1包覆层，由第1导电型的氮化镓系半导体构成；

第2包覆层，由第2导电型的氮化镓系半导体构成；及

活性层，设置于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间，

上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿着上述半极性主面的法线轴排列，

上述活性层包含氮化镓系半导体层，

上述支持基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴朝向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向，相对于上述法线轴以有限的角度ALPHA倾斜，上述角度ALPHA为45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，

上述激光构造体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所规定的m-n面交叉的第1及第2割断面，

该III族氮化物半导体激光元件的激光共振器包含上述第1及第2割断面，

上述激光构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，

上述第1及第2割断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘为止，

在上述第1及第2割断面上分别出现上述支持基体的端面及上述半导体区域的端面，

将L设为4以上的整数，上述第1及第2割断面包含处于从以面指数(-1，0，1，L)或(1，0，-1，-L)所表示的面起±5度的范围内的区域。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述第1及第2割断面包含与N原子-Ga原子的排列所成的角度处于±10度以下的范围内的区域，其中上述N原子-Ga原子的排列为沿着从上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴的方向，朝向与上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向相反的方向仅倾斜70.53度的方向延伸。

3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述第1及第2割断面中包含于上述活性层中的部分包含处于从以面指数(-1，0，1，L)或(1，0，-1，-L)所表示的面起±5度的范围内的区域的一部分或全部。

4.如权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述第1及第2割断面中包含于上述活性层中的部分包含与N原子-Ga原子的排列所成的角度处于±10度以下的范围内的区域的一部分或全部，其中上述N原子-Ga原子的排列沿着从上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴的方向，朝向与上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向相反的方向仅倾斜70.53度的方向延伸。

5.如权利要求1至4中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述角度ALPHA为63度以上80度以下、或100度以上117度以下的范围。

6.如权利要求1至5中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述支持基体的厚度为400μm以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述支持基体的厚度为50μm以上100μm以下。

8.如权利要求1或7中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

来自上述活性层的激光朝向上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴的方向偏光。

9.如权利要求1至8中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

该III族氮化物半导体激光元件中的LED模式下的光包含朝向将上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴投影至主面的方向的偏光成分I2、及上述六方晶系III族氮化物半导体的a轴的方向的偏光成分I1；

上述偏光成分I1大于上述偏光成分I2。

10.如权利要求1至9中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

上述半极性主面是从{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、及{10-1-1}面中的任一面以-4度以上+4度以下的范围偏离的微倾斜面。