[发明专利]MEMS器件有效
| 申请号： | 201080010078.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102341341A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马丁·古森思;希尔柯·瑟伊;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
1.一种MEMS器件，包括：
相对的第一和第二电极结构(22、28)，其中所述第二电极结构(28)是电动的，以便改变第一和第二电极结构的相对面之间的电极间隔，
其中所述相对面中的至少一个具有非平坦表面(30)，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷，
其中所述第二电极结构(28)具有范围在1至10μm的厚度t，
以及其中所述波峰的高度和所述波谷的深度在0.01t至0.1t之间。
2.根据权利要求1所述的器件，其中波峰和相邻波谷之间的距离在40至300μm的范围内。
3.根据权利要求2所述的器件，其中波峰和相邻波谷之间的距离在50至250μm的范围内。
4.根据权利要求1、2或3所述的器件，其中所述非平坦表面(30)包括周期性排列的至少两个波峰和两个波谷。
5.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中可移动的第二电极结构(28)具有非平坦表面，并且所述第一电极结构(22)具有平坦表面。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中可移动的第二电极结构(28)具有平坦表面，并且所述第一电极结构(22)具有非平坦表面。
7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一电极结构(22)包括具有非平坦表面的电介质层(24)。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的器件，其中可移动的第二电极结构(28)和所述第一电极结构(22)具有非平坦表面，其中一个电极结构的波峰与另一个电极结构的波谷对齐。
9.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中所述非平坦表面的形状使得高度沿所述表面平坦轴的二阶导数具有恒定的幅度。
10.根据前述权利要求中任一项所述的器件，包括MEMS电容开关，其中所述第一和第二电极结构之一包括电介质层(24)和接触电极(22)，并且所述第一和第二电极结构中的另一个包括接触电极(28)。
11.一种制造MEMS器件的方法，包括：
形成静止的第一电极结构(22)；以及
形成相对的第二电极结构(28)，其厚度t在1至10μm的范围内，并且支撑所述第二电极结构电动地移动以改变所述第一和第二电极结构相对面之间的电极间隔，
其中将所述相对面中的至少一个形成为具有非平坦表面，所述非平坦表面具有至少一个波峰和至少一个波谷，所述波峰的高度和波谷的深度在0.01t至0.1t之间。
12.根据权利要求11所述的方法，包括：
在衬底(20)上形成第一电极结构；
在所述第一电极结构上形成牺牲层(24)，所述牺牲层的上表面具有非平坦剖面；
在所述牺牲层上形成所述第二电极结构(28)；以及
去除所述牺牲层，从而暴露出具有非平坦表面的第二电极结构(28)的下表面。
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第一电极结构(22)包括形成接触电极(22)和在所述接触电极上的电介质层(24)。
14.根据权利要求11或12所述的方法，其中形成所述牺牲层包括形成第一非平坦第一牺牲层部分(25a)和形成第二均匀厚度第二牺牲层部分(25b)。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，其中形成波峰和相邻波谷之间的距离在40至300μm范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080010078.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
