[发明专利]包含硼的III族氮化物发光器件

权利要求书

1.一种结构，该结构包括：

III族氮化物半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的发光区域，其中：

该发光区域中的至少一个层为B_x(In_yGa_1-y)_1-xN；

所述B_x(In_yGa_1-y)_1-xN层具有带隙能量和体晶格常数，所述体晶格常数对应于与B_x(In_yGa_1-y)_1-xN发光层具有相同组份的弛豫层的晶格常数；

与所述B_x(In_yGa_1-y)_1-xN层具有相同带隙能量的InGaN层具有对应于与该InGaN层具有相同组份的弛豫层的晶格常数的体晶格常数；并且

所述B_x(In_yGa_1-y)_1-xN层的体晶格常数小于所述InGaN层的体晶格常数。

2.权利要求1的结构，其中0<x≤0.14。

3.权利要求1的结构，其中0<x≤0.1。

4.权利要求1的结构，其中所述至少一个B_x(In_yGa_1-y)_1-xN为发光层。

5.权利要求4的结构，其中0.06≤x≤0.08并且0.1≤y≤0.14。

6.权利要求4的结构，其中0.08≤x≤0.11并且0.14≤y≤0.18。

7.权利要求4的结构，其中0.11≤x≤0.13并且0.18≤y≤0.22。

8.权利要求1的结构，其中：

所述发光区域包括由势垒层分隔的至少两个量子阱发光层；并且

所述至少一个B_x(In_yGa_1-y)_1-xN为势垒层。

9.权利要求1的结构，其中与所述发光区域直接接触的所述n型区域和p型区域其中之一的至少一部分具有渐变组份。

10.权利要求1的结构，还包括电连接到所述n型和p型区域的第一和第二电接触。

11.权利要求1的结构，其中所述B_x(In_yGa_1-y)_1-xN层与GaN晶格匹配。

12.权利要求1的结构，其中所述B_x(In_yGa_1-y)_1-xN层处于受压中。