[发明专利]结构化硅晶片的方法、用于它的处理液及其应用

说明书

应用领域和现有技术

本发明涉及根据权利要求1前序部分的对太阳能电池生产中的硅晶片的处理方法以及适用于该目的的处理液。另外，本发明涉及本发明用于实施所述方法的处理液的应用。

例如，DE 102007026081 A1公开了在太阳能电池生产中硅晶片的结构化。为此，处理液被施加于硅晶片表面上，从而在硅晶片表面形成角锥形突起。这些促进光耦合进入硅晶片及随后进入太阳能电池并伴随改进它们的能量输出。所述的处理液可包含异丙醇作为添加的蚀刻抑制剂。

目的及其效果

本发明的目标是提供如上述的方法和适用于该目的的处理液，借此可消除现有技术遇到的问题并且，特别是，可实现更快和更好的处理，即结构化。

该目标是通过具有权利要求1所限定特征的方法，具有权利要求5所限定特征的处理液，以及具有权利要求8所限定特征的应用来实现的。本发明有利以及优选的实施方式是其他权利要求的主题，并且在下文中对其进行更详细的说明。权利要求的措辞明确提及说明书的内容。

所述的处理液，其有利的是碱性的处理液，包含添加剂。所述添加剂可以是添加的蚀刻抑制剂，并且根据本发明来说是乙基正己醇或环己醇。这两种添加剂可有利地相互择一使用，但是在有些情况下它们可被同时使用。在处理液中这些具体的添加剂的益处是基于这样的事实：在本发明的另一个实施方式中，由于它们更高的沸点使得在温度超过其他可能的情况下实施所述方法成为可能。

由于乙基正己醇的沸点是182℃以及环己醇的沸点是161℃这一事实，在实施结构化时，混合了它们的处理液明显可以在更高的温度下使用。由于以往的添加剂异丙醇的低沸点为82℃，这要求要么持续的进行补充异丙醇，以免得到不满意的结构化结构，要么必须将所述温度保持在80℃或者更低，这种情况下为了实施处理，即结构化处理，所涉及的程序花费长得多的时间，其也可被认为非常有害。使用本发明的添加剂，因此可能在80℃或者更高的温度下实施结构化，例如在大约90℃。这样处理时间可为10至15分钟，且优选地约11分钟。接着硅晶片可以从包含处理液的浴中移走并随后清洗和干燥并进行接下来的处理。

在本发明的另一个实施方式中，硅晶片可以在处理液中被搅动，这同样地改善或加速结构化。这种情况下也可以提供硅晶片和处理液之间发生相对运动，也就是说，为了使得处理液保持运动或者显示出内部液体流。

本发明的目标还是通过使用本发明的所述方法实现的，特别是对在太阳能电池生产中的硅晶片实施处理。

本发明的处理液除了乙基正己醇和环己醇形式的添加剂之外，还包含水作为另外的组份。添加剂的量可以为0.3％-4％，以重量计，特别优选地为0.5％-3％，以重量计。

在本发明的另一实施方式中，处理液可以进一步包含KOH。其含量可以为1.5％-5％，以体积计，优选含量为2％-3％，以体积计。

本发明的另一个独立方面是本发明的用以实施方法的处理液的应用，更特别是应用于实施上面所述的方法。

权利要求中公开了这些和其他特征，其中各个特征可以单独地实现，或者在本发明的任一实施方式中或在其它领域中以次级结合(subcombinations)的方式组合起来，并且可固有地形成有益的和可专利的实施方式，这些实施方式在此要求保护。

至于本发明的执行，同时参考DE 102007026081 A1，其相关的主题内容通过引用包含在本说明书中。在所述的引用中，图1和图2示出了可如何实施该方法，以及因此利用此处示出的所述处理参数和数量可同样好地实施所述方法。