[发明专利]光电转换元件及其制造方法,光学传感器和太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201080010875.X 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN102341952A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 中原谦太郎;小林宪司;须黑雅博;中村新 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00;H01L31/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 元件 及其 制造 方法 光学 传感器 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种光电转换元件,其包含:

包含半导体层和染料的半导体电极;

对电极;以及

布置在所述半导体电极和所述对电极之间的电解质层,

其中所述染料含有由通式1表示的化合物:

(其中通式1中的A表示取代或未取代的芳基,且可含有氧、氮、硫、硅、磷、硼或卤素中的一个或多个原子,且所述芳基可通过将多个芳基稠合而得到)。

2.如权利要求1所述的光电转换元件,其中所述由通式1表示的化合物为由通式2表示的化合物:

3.如权利要求1所述的光电转换元件,其中所述由通式1表示的化合物包含:

由通式2表示的化合物:

其中通式1中的A具有选自烷氧基、羟基、羟烷基、磺酸酯基、酯基、巯基和膦酰基中的一个或多个取代基的化合物。

4.如权利要求1~3中任一项所述的光电转换元件,其中所述半导体层由含二氧化钛的半导体材料形成。

5.如权利要求1~4中任一项所述的光电转换元件,其中所述电解质层由其中将电解质溶于有机溶剂中而得到的电解液形成,且

其中所述电解质含有碘和碘离子。

6.一种光学传感器,其包含权利要求1~5中任一项的光电转换元件。

7.一种太阳能电池,其包含权利要求1~5中任一项的光电转换元件。

8.一种制造光电转换元件的方法,所述方法包括:

通过使多孔半导体材料吸附染料而获得半导体电极;

用电解质对所述半导体电极进行浸渍;以及

以与经所述电解质浸渍的所述半导体电极相对的方式布置对电极,

其中所述染料含有由通式1表示的化合物:

(其中通式1中的A表示取代或未取代的芳基,且可含有氧、氮、硫、硅、磷、硼或卤素中的一个或多个原子,且所述芳基可通过将多个芳基稠合而得到)。

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