[发明专利]在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法

权利要求书

1.一种形成磁电子器件的方法，包括：

形成围绕磁位的电介质材料；

以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上方限定开口，所述开口具有侧壁；

在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；

通过溅射工艺去除所述开口底部的所述覆盖层和在所述磁位上方的所述电介质以暴露出所述磁位；以及

在所述开口内形成导电材料以形成位线。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述导电材料上方形成所述包敷材料的盖层，所述盖层与在所述导电材料的侧壁上的所述包敷材料配合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述位线具有第一和第二端部，还包括：

使在所述电介质层中被蚀刻的所述开口逐渐变细，从而使所述导电材料和被包敷的侧壁在所述第一和第二端部逐渐变细。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述位线具有第一和第二端部，还包括：

在所述第一和第二端部使所述盖层逐渐变细。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述逐渐变细的步骤包括：

产生具有长宽比至少为2的逐渐变细的部分。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述逐渐变细的步骤包括：

产生具有长宽比至少为2的逐渐变细的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，在形成导电材料之前，还包括：

在所述侧壁上和所述磁位上方形成钽层；以及

在所述钽层上方形成籽晶材料层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤包括：

沉积镍铁的覆盖层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除步骤包括：

应用中性氧化物蚀刻。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成导电材料后，接着执行化学机械抛光。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成电介质材料还限定通到导电材料下方的第二开口，所述沉积步骤还包括：在包括第二侧壁的导电层上方沉积所述覆盖层，所述去除步骤还包括通过所述溅射工艺去除所述覆盖层以暴露出所述导电层，以及形成导电材料还包括在所述第二开口内形成所述导电材料从而构成与所述导电层的接触。

12.一种形成磁位阵列的方法，包括：

在衬底上方形成多个数字线；

形成多行磁位，每行磁位唯一地配置在所述数字线之一上方，并与所述数字线之一电接触；

在所述数字线和所述磁位上方形成电介质材料；

蚀刻所述电介质材料以在每个磁位的上方产生开口，所述开口具有大于所述磁位的直径的侧壁，其中所述电介质材料的一部分保留在所述磁位的上方；

在包括所述侧壁的所述电介质材料上沉积包敷材料的覆盖层；

溅射以去除在所述磁位上方的所述包敷材料和所述电介质材料；

在每个所述开口中并且与所述数字线成一定角度地沉积导电材料作为位线，其中每个磁位都唯一地耦合在位线和数字线之间；以及

在所述位线上方形成所述包敷材料的盖层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述位线具有第一和第二端部，还包括：

使在所述电介质层中被蚀刻的所述开口逐渐变细，从而使所述导电材料和被包敷的侧壁在所述第一和第二端部逐渐变细。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述位线具有第一和第二端部，还包括：

在所述第一和第二端部使所述盖层逐渐变细。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述逐渐变细的步骤包括：

产生具有长宽比至少为2的逐渐变细的部分。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述逐渐变细的步骤包括：

产生具有长宽比至少为2的逐渐变细的部分。

17.根据权利要求12所述的方法，在形成导电材料之前，还包括：

在所述侧壁上和所述磁位上方形成钽层；以及

在所述钽层上方形成籽晶材料层。