[发明专利]用于测量在半导体芯片接合期间的静电放电(ESD)事件的量值的电路

权利要求书

1.一种用于记录在半导体组装期间的ESD事件的量值的电路，所述电路包含：

分压器，其连接于第一电位与第二电位之间，所述分压器提供具有与所述第一电位和所述第二电位不同的离散电压电平的节点；以及

测量块，其耦合到所述节点且包含记录所述离散电压电平的记录器装置。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述分压器包含串联连接于所述第一电位与所述第二电位之间的多个能量耗散装置。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述多个能量耗散装置包含电阻器。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述分压器包含与所述第一电位和所述第二电位并联连接的多个能量耗散装置。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述多个能量耗散装置包含电阻器。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述记录器装置包含能够被所述ESD事件损坏的氧化物层。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述记录器装置包含电容器。

8.根据权利要求1所述的电路，其中每一测量块进一步包含实现对每一测量块的读出的至少一个接触垫。

9.根据权利要求8所述的电路，其中每一测量块进一步包含电压偏移装置，所述电压偏移装置使所述分压器与在所述读出期间施加到所述至少一个接触垫的读出电压隔离。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述记录器装置包含电阻器。

11.根据权利要求10所述的电路，其中每一测量块进一步包含ESD保护电路，所述ESD保护电路保护所述记录器装置免受在读出期间发生的第二ESD事件影响。

12.根据权利要求11所述的电路，其中所述ESD保护电路包含多个二极管。

13.一种测量在半导体组装期间的ESD事件的方法，所述方法包含：

从第一测量块中的第一记录器装置读出第一电压；

从第二测量块中的第二记录器装置读出第二电压；以及

从所述第一电压和所述第二电压确定所述ESD事件的量值。

14.根据权利要求13所述的方法，其中读出所述第一电压包含测量所述第一记录器装置的第一电流-电压曲线，且读出所述第二电压包含测量所述第二记录器装置的第二电流-电压曲线。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

确定所述第一记录器装置是否被损坏；

确定所述第二记录器装置是否被损坏；以及

当所述第一记录器装置被损坏且所述第二记录器装置未损坏时，确定所述ESD事件处于在与所述第一测量块相关联的第一离散电平与和所述第二测量块相关联的第二离散电平之间的一电平处。

16.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

当在读出所述第一电压前将具有所述第一和第二记录器装置的第一层IC与第二层IC堆叠时，产生所述ESD事件，所述ESD事件至少损坏所述第一记录器装置。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述损坏包含致使至少在所述第一记录器装置中的栅极氧化物装置被击穿。

18.一种用于测量集成电路中的ESD事件的电路，所述电路包含：

用于将在所述ESD事件期间发生的电压划分成多个离散电压电平的装置；以及

用于记录离散电压电平的多个装置，每一记录装置耦合到所述划分装置且从所述划分装置接收电流。

19.根据权利要求18所述的电路，其中所述记录装置包含用于存储电荷的装置，所述存储装置能够在所述ESD事件期间被损坏。

20.根据权利要求18所述的电路，其进一步包含用于偏移耦合到所述记录装置的电压的装置。