[发明专利]利用电路层转移制造多层结构的方法

权利要求书

1.一种制造复合结构(300)的方法，包括在第一衬底(100)的一面上制造第一层微元件(110)的制造步骤，在制造所述微元件(110)的过程中，所述第一衬底贴合地固定在第一支撑件(121)的固定表面(121a)上；还包括将所述第一衬底(100)的包含该层微元件(110)的面键合到第二衬底(200)上的键合步骤；所述方法的特征在于，在所述键合步骤期间，所述第一衬底或所述第二衬底贴合地固定在第二支撑件(221)上，该第二支撑件(221)的固定表面(221a)的平面度小于或等于在第一层微元件(110)的制造过程中采用的第一支撑件(120)的平面度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一支撑件(121)的固定表面(121a)的平面度小于或等于2μm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述键合步骤期间，所述第一衬底(100)贴合地固定在所述第二支撑件(221)上。

4.根据权利要求1到3中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述键合步骤期间，所述第一衬底和所述第二衬底(100，200)保持在基本相等的温度。

5.根据权利要求1到3中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述键合步骤期间，至少第一衬底(100)的温度保持基本等于在制造第一层微元件(110)的步骤期间所述第一衬底的温度。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于在，所述键合步骤期间，所述第一衬底和所述第二衬底(100，200)之间的温度差小于或等于±0.5℃。

7.根据权利要求1到6中任意一项所述的方法，其特征在于，该方法在键合步骤之后包括薄化所述第一衬底(100)的薄化步骤。

8.根据权利要求1到7中任意一项所述的方法，其特征在于，所述第二衬底(200)包括微元件。

9.根据权利要求1到8中任意一项所述的方法，其特征在于，该方法还包括在与包含第一层微元件(110)的面相对的所述第一衬底(100)的面上制造第二层微元件(140)的步骤。

10.根据权利要求1到9中任意一项所述的方法，其特征在于，该方法在所述键合步骤之前包括在所述第一衬底(100)的包含第一层微元件(110)的面上形成氧化物层(104)的步骤。

11.根据权利要求1到10中任意一项所述的方法，其特征在于所述第一衬底(100)由SOI类型结构构成。

12.根据权利要求1到11中任意一项所述的方法，其特征在于，在制造第一层微元件(110)的步骤和键合步骤期间，采用了包含支撑压盘(221)的衬底承载装置(220)，所述衬底承载装置能够将所述第一衬底(100)固定在所述支撑压盘(221)的固定表面(221a)上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一衬底(100)通过吸力、毛细吸力、或静电力贴合地固定在所述支撑压盘(221)上。

14.一种用于分子键合衬底的设备，所述设备包括衬底承载装置(220)，其特征在于，所述衬底承载装置包括用于平面度小于或等于2微米的衬底的固定表面(221a)。

15.根据权利要求14所述的设备，其特征在于，所述衬底承载装置适用于接收直径为200mm或300mm的圆形衬底。

16.根据权利要求14或15所述的设备，其特征在于，该设备进一步包括包围所述衬底承载装置的处理腔室，所述处理腔室包括温度控制装置。