[发明专利]基板清洗方法无效
申请号: | 201080011199.8 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN102349136A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 松井英章;守屋刚;西村荣一;河口慎一;山涌纯;宫内国男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/14;B08B7/00;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
1.一种基板清洗方法,是对表面形成有微细图案的基板清洗的基板进行清洗方法,该基板清洗方法的特征在于,包括:
将所述基板从在所述基板的表面实施规定的加工的处理腔室向实施所述基板的清洗的清洗腔室输送的输送步骤;
在所述清洗腔室内将所述基板冷却到规定的温度的冷却步骤;和
向所述基板的表面供给超流体,然后,通过使所述超流体从所述基板的表面流出而将所述微细图案内的污染成分冲走的超流动清洗步骤。
2.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述超流动清洗步骤通过向所述基板供给所述超流体,并且回收从所述基板流出的所述超流体来实施。
3.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述超流动清洗步骤包括:
将所述基板浸渍在所述超流体中的浸渍步骤;
通过使浸渍所述基板的所述超流体的水位比所述基板的表面低,而使所述超流体从所述基板的表面流出的流出步骤。
4.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述超流体是氦。
5.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
所述微细图案的特征长度为0.1μm以下。
6.如权利要求1所述的基板清洗方法,其特征在于:
在通过所述超流体对所述基板进行清洗处理之前或之后,还具有通过超临界流体清洗所述基板的超临界清洗步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造