[发明专利]低价氧化钛及其制造方法有效
| 申请号： | 201080011652.5 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102348836A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 真下茂;欧姆扎克·乌鲁·埃米尔;龟山直人;冈本真人;安田佳明;岩崎秀治 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人熊本大学;株式会社可乐丽 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C01G23/04;C25B1/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低价 氧化 及其 制造 方法 | ||
1.一种低价氧化钛的制造方法，其特征在于，在水系介质中，通过包括至少一个含钛电极的两个电极间的放电来制造低价氧化钛。
2.根据权利要求1所述的低价氧化钛的制造方法，其中，放电为直流放电。
3.根据权利要求2所述的低价氧化钛的制造方法，其中，放电为直流连续放电。
4.根据权利要求2所述的低价氧化钛的制造方法，其中，放电为直流脉冲放电。
5.一种低价氧化钛，其由组成式TiOx(0.15＜x＜2.0)表示、是通过权利要求2～4中任一项所述的方法而制造的。
6.根据权利要求1所述的低价氧化钛的制造方法，其特征在于，其通过包括至少一个含氧化钛电极的两个电极间的放电来制造低价氧化钛。
7.根据权利要求6所述的低价氧化钛的制造方法，其特征在于，通过含氧化钛电极和金属钛电极之间的放电来制造低价氧化钛。
8.根据权利要求6所述的低价氧化钛的制造方法，其特征在于，通过两个含氧化钛电极之间的放电来制造低价氧化钛。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的低价氧化钛的制造方法，其中，放电为直流连续放电。
10.根据权利要求6～8中任一项所述的低价氧化钛的制造方法，其中，放电为脉冲放电。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的低价氧化钛的制造方法，其中，含氧化钛电极是包含导电性氧化钛而成的。
12.根据权利要求6～10中任一项所述的低价氧化钛的制造方法，其中，含氧化钛电极是包含金属钛和非导电性氧化钛而成的。
13.一种低价氧化钛，其由组成式TiOx(1.5＜x＜2.0)表示、是通过权利要求6～12中任一项所述的方法而制造的。
14.一种电极，其含有导电性氧化钛。
15.根据权利要求14所述的电极，其用于制造低价氧化钛。
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