[发明专利]非晶碳氢氮化物(a-CN:Hx)膜的成膜方法、有机EL器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜的成膜方法，该膜作为有机器件的发光层使用，该成膜方法的特征在于，包括：

作为材料气体向处理容器内供给等离子体激发用气体、含有C-N键的碳氢化合物气体和氮或氨的工序；和

通过微波产生所述等离子体激发用气体的等离子体，通过该等离子体使所述材料气体活化的工序。

2.如权利要求1所述的非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜的成膜方法，其特征在于：

所述含有C-N键的碳氢化合物气体为甲胺(CH₃NH₂)、二甲胺((CH₃)₂NH)、三甲胺((CH₃)₃N)、吡啶(C₅H₅N)中的任一种。

3.如权利要求1所述的非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜的成膜方法，其特征在于：

在等离子体的产生中使用RLSA方式。

4.一种有机器件的制造方法，其特征在于：

在形成有第1导电性电极的被处理体上形成空穴注入输送层，

在所述空穴注入输送层上叠层作为发光层的非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜，

在所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜上叠层电子注入层，

在所述电子注入层上叠层第2导电性电极，

叠层以覆盖所述被处理体、第1导电性电极、所述空穴注入输送层、所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜、所述电子注入层、所述第2导电性电极的方式密封的密封膜。

5.如权利要求4所述的有机器件的制造方法，其特征在于：

所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜，使用含有C-N键的碳氢化合物气体和氮或氨作为材料气体，通过微波的功率激发材料气体而产生等离子体，使用所产生的等离子体进行成膜。

6.如权利要求5所述的有机器件的制造方法，其特征在于：

所述含有C-N键的碳氢化合物气体为甲胺(CH₃NH₂)、二甲胺((CH₃)₂NH)、三甲胺((CH₃)₃N)、吡啶(C₅H₅N)中的任一种。

7.如权利要求5所述的有机器件的制造方法，其特征在于：

在等离子体的产生中使用RLSA方式。

8.如权利要求7所述的有机器件的制造方法，其特征在于：

在处理容器内设置激发等离子体的等离子体激发区域和对基板进行处理的扩散等离子体区域，向所述等离子体激发区域中导入氮或氨，向所述扩散等离子体区域导入含C-N键的碳氢化合物气体。

9.一种有机器件，其特征在于，具备：

在形成有第1导电性电极的被处理体上形成的空穴注入输送层，

在所述空穴注入输送层上叠层的作为发光层的非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜，

在所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜上叠层的电子注入层，

在所述电子注入层上叠层的第2导电性电极，和

以覆盖所述被处理体、所述第1导电性电极、所述空穴注入输送层、所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜、所述电子注入层、所述第2导电性电极的方式密封的密封膜。

10.如权利要求9所述的有机器件，其特征在于：

所述非晶碳氢氮化物(a-CN:H_x)膜，使用含有C-N键的碳氢化合物气体作为材料气体，通过微波的功率激发等离子体激发用气体产生的等离子体激发材料气体，进行成膜。