[发明专利]荧光体、其制造方法、发光器具以及图像显示装置

权利要求书

1.一种荧光体，其中，至少含有Li、Ca、Si、Al、O(氧)、N(氮)和Ce元素，以CaAlSiN₃结晶、或具有与CaAlSiN₃相同的晶体结构的结晶为基质晶体。

2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述荧光体进一步含有Sr元素。

3.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a满足

0.0005≤a≤0.02。

4.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Li的原子分率b满足

0.005≤b≤0.11。

5.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Ca的原子分率c满足

0.03≤c≤0.15。

6.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Al的原子分率d满足

0.03≤d≤0.15。

7.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Si的原子分率e满足

0.2≤e≤0.3。

8.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Li、Ca、Si、Al和Ce以外的其它金属元素的原子分率f满足

f≤0.0001。

9.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述O的原子分率g满足

0.008≤g≤0.1。

10.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述N的原子分率h满足

0.4≤h≤0.5。

11.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a和所述Li的原子分率b满足

b≥1.2×a。

12.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Al的原子分率d和所述Si的原子分率e满足

1.5≤e/d≤9。

13.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述O的原子分率g和所述N的原子分率h满足

0.015≤g/h≤0.1。

14.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a、所述Li的原子分率b、所述Ca的原子分率c、所述Al的原子分率d、所述Si的原子分率e、所述Ce、Li、Ca、Si和Al以外的其它金属元素的原子分率f、所述O的原子分率g、和所述N的原子分率h满足

0.0005≤a≤0.02

0.005≤b≤0.11

0.03≤c≤0.15

0.03≤d≤0.15

0.2≤e≤0.3

f≤0.0001

0.008≤g≤0.1

0.4≤h≤0.5，

通过照射激发源而发出在波长560nm～620nm的范围的波长具有峰的荧光。

15.根据权利要求14所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a满足

0.0007≤a≤0.01，

通过照射激发源而发出在波长560nm以上且小于580nm的范围的波长具有峰的荧光。

16.根据权利要求14所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a满足

0.0019≤a≤0.0085，

通过照射激发源而发出在波长580nm以上且小于600nm的波长具有峰的荧光。

17.根据权利要求16所述的荧光体，其中，所述Li的原子分率b、所述Ca的原子分率c、所述Al的原子分率d、所述Si的原子分率e、所述O的原子分率g、和所述N的原子分率h进一步满足

0.03≤b≤0.11

0.04≤c≤0.12

0.04≤d≤0.12

0.21≤e≤0.3

0.015≤g≤0.05

0.45≤h≤0.5。

18.根据权利要求14所述的荧光体，其中，所述Ce的原子分率a满足

0.006≤a≤0.018，

通过照射激发源而发出在波长600nm～620nm的范围的波长具有峰的荧光。