[发明专利]具有漏电路径的微机电系统设备

权利要求书

1.一种微机电系统(MEMS)换能器，包括：

介电材料层；

电极，在所述介电材料层内形成；

其中所述介电材料层的一个区域适于提供一个漏电路径，所述漏电路径在使用中从所述介电材料层中除去不想要的电荷。

2.根据权利要求1所述的微机电系统换能器，其中所述区域包括设置在所述电极的第一侧和所述介电材料层的相应外表面之间的一部分介电材料。

3.根据权利要求2所述的微机电系统换能器，其中所述区域的厚度比第二区域的厚度小，所述第二区域包括设置在所述电极的相对侧和所述介电材料层的相应外表面之间的一部分介电材料。

4.根据任一前述权利要求所述的微机电系统换能器，其中所述区域适于使得当在使用中被偏置时，介电材料的区域以隧穿模式运作。

5.根据任一前述权利要求所述的微机电系统换能器，其中所述区域适于使得其包括：

第一平面中的第一阻抗，所述第一平面包括大体轴向地位于所述电极的一个表面和形成电容式换能器一部分的第二电极的一个表面之间的一个平面；以及

第二平面中的第二阻抗，所述第二平面包括与所述第一平面大体正交的一个平面；

其中所述第一阻抗比第二阻抗低。

6.根据任一前述权利要求所述的微机电系统换能器，其中所述区域的成分不同于所述介电材料层中的另一个区域的成分。

7.根据权利要求1所述的微机电系统换能器，其中所述介电材料的区域具有与同一层中介电材料的另一区域不同的厚度。

8.根据权利要求1所述的微机电系统换能器，其中所述介电材料的区域具有与同一层中介电材料的另一区域不同的成分。

9.根据任一前述权利要求所述的微机电系统换能器，其中所述介电材料层包括被设置在所述电极的相对侧上的第一介电层和第二介电层。

10.根据任一前述权利要求所述的微机电系统换能器，还包括设置在所述介电材料层中的一个或多个声音端口，所述声音端口在所述介电材料层的第一外表面和所述介电材料层的第二外表面之间设有一个开口。

11.根据权利要求10所述的微机电系统换能器，其中至少一个声音端口穿过所述电极。

12.根据权利要求11所述的微机电系统换能器，其中所述电极的一部分在声音端口的一个内表面处是暴露的，在使用中所述电极的暴露部分用于移除不想要的电荷。

13.一种形成微机电系统(MEMS)换能器的方法，所述方法包括下列步骤：

沉积第一介电材料层；

沉积电极；

沉积第二介电材料层；

其中所述沉积第一介电材料层的步骤包括形成一个漏电路径，所述漏电路径在使用中从所述第一介电材料层移除不想要的电荷。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述沉积第一介电材料层的步骤包括沉积比所述第二介电材料层具有更小厚度的一个介电材料层的步骤。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中所述沉积第一介电材料层的步骤包括所述沉积第一层以使得当在使用中被偏置时所述第一介电材料层以隧穿模式运作的步骤。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述沉积第一层的步骤包括沉积预定厚度的第一层以使得其以隧穿模式运作的步骤。

17.根据权利要求15或16所述的方法，其中所述沉积第一层的步骤包括选择一个或多个沉积参数，这些沉积参数形成在使用中具有隧穿运作模式的第一层。

18.根据权利要求13至17中任一所述的方法，其中所述第一层包括：

第一平面中的第一阻抗，该第一平面与所述第一层的平面大体正交；以及

第二平面中的第二阻抗，该第二平面与所述第一层的平面大体平行；

其中所述第一阻抗比所述第二阻抗小。

19.根据权利要求13至18中任一所述的方法，其中所述第一层的成分不同于所述第二层的成分。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层的一个区域具有不同于所述第一层的另一区域的厚度。