[发明专利]光电转换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置，将在第一透光性绝缘基板的一面上形成有多个第一光电转换元件的第一光电转换模块、以及在第二透光性绝缘基板的一面上形成有多个第二光电转换元件的第二光电转换模块，以所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件为内侧粘贴，该光电转换装置的特征在于，

具有多个光电转换元件对，该光电转换元件对是配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件被电串联连接而构成，

所有的所述光电转换元件对被电串联连接。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一光电转换元件是在所述第一透光性绝缘基板上依次层压第一透明电极层、第一薄膜半导体层、以及第二透明电极层而成，

所述第二光电转换元件是在所述第二透光性绝缘基板上依次层压反射性金属电极层、第二薄膜半导体层、以及第三透明电极层而成，

在所述光电转换元件对中，配置在相对的位置的所述第一光电转换元件的所述第二透明电极层与所述第二光电转换元件的所述第三透明电极层被直接电连接，

在所述多个光电转换元件对中，对于一个光电转换元件对与相邻于该光电转换元件对的其他光电转换元件对，所述一个光电转换元件对的所述第一透明电极层与所述其他光电转换元件对的所述反射性金属电极层被直接电连接。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一光电转换元件是在所述第一透光性绝缘基板上依次层压第一透明电极层、第一薄膜半导体层、以及第二透明电极层而成，

所述第二光电转换元件是在所述第二透光性绝缘基板上依次层压反射性金属电极层、第二薄膜半导体层、以及第三透明电极层而成，

在所述光电转换元件对中，配置在相对的位置的所述第一光电转换元件的所述第一透明电极层与所述第二光电转换元件的所述反射性金属电极层被直接电连接，

在所述多个光电转换元件对中，对于一个光电转换元件对与相邻于该光电转换元件对的其他光电转换元件对，所述一个光电转换元件对的所述第二透明电极层与所述其他光电转换元件对的所述第三透明电极层被直接电连接。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件使用导电性树脂被电串联连接。

5.根据权利要求4所述的光电转换装置，其特征在于，

包含在所述导电性树脂的金属为金、银、镍、钯中的某一种以上。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件使用金属膏被电串联连接。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

在所述配置在相对的位置的所述第一光电转换元件与所述第二光电转换元件之间具备波长选择性反射层，该波长选择性反射层具有仅反射具有特定范围的波长的光的波长选择性。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置，其特征在于，

所述波长选择性反射层是层压折射率不同的多个层而成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一薄膜半导体层的带隙比所述第二薄膜半导体层的带隙宽。

10.根据权利要求9所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一薄膜半导体层是从所述第一透明导电层侧层压第一p型薄膜硅层、第一i型薄膜非晶硅层、以及第一n型薄膜硅层而成，

所述第二薄膜半导体层是从所述反射性金属电极层侧层压第二n型薄膜硅层、第二i型薄膜微晶硅层、以及第二p型薄膜硅层而成。