[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对被处理体进行处理的处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中具有向半导体晶圆(下面称为晶圆)供给气体而利用例如CVD(Chemical Vapor Deposition)进行成膜的工序、向晶圆供给气体并利用该气体对晶圆表面的膜进行蚀刻的工序。进行这样的工序的成膜或者蚀刻装置包括用于收纳晶圆的处理容器、在成膜或者蚀刻工序中使用的处理气体的积存部、用于对处理容器内进行干洗的清洁气体的积存部，各气体的积存部通过包括气体供给配管以及被设在该配管上的阀等的气体供给设备与上述处理容器连接。

为了得到高耐腐蚀性，上述气体供给设备由例如不锈钢构成。另外，有时在上述气体供给配管上介设用于除去气体中所含有的固体以及液体的微粒(粒子)的过滤器。

在这样的成膜装置或者蚀刻装置中，有时使用分别含有F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)的被称为F类气体、Cl类气体、Br类气体的、含有卤素的反应性非常高的气体。例如，有时上述F类气体用作上述成膜装置的清洁用气体，例如，有时Cl类气体以及Br类气体在上述蚀刻装置中用作蚀刻用气体。

含有上述的卤素的气体与构成用于供给该气体的气体供给设备的不锈钢反应，生成由卤素、金属以及氧构成的三元类化合物和由卤素以及金属构成的二元类化合物，并且由于上述的化合物而引起气体的金属污染。在上述的三元类化合物以及二元类化合物中存在蒸气压较高的化合物，因为那样的化合物在配管内以气体的状态流通，所以不会被上述过滤器捕捉而被供给到处理容器内。另外，有时上述的三元类化合物以及二元类化合物被暴露在处理容器内的气氛中而分解，上述的化合物所含有的金属变成固体而附着在晶圆以及处理容器内。这样，晶圆不能被正常地处理，合格率有可能会下降。

另外，被供给到处理容器内的气体流入到用于对处理容器进行排气的排气管内。排气管内变成气体的压力较高的低真空区域、并且气体分子彼此的碰撞比气体分子与排气管的管壁之间的碰撞占优势时，排气管内的气体的流速在排气管的中心轴线处最高，从中心轴线越接近排气管的管壁越低，在管壁处为0。有时气体沿着流速为0的管壁向上游侧、即处理容器侧扩散。产生这样的向处理容器内的气体的扩散时，也有可能上述的气体状态的三元类化合物以及二元类化合物变化成含有固体的金属的化合物而附着在晶圆上、处理容器内，从而合格率下降。另外，有时在处理容器上经由辅助流路安装真空计等附属设备。有时气体也在构成辅助流路的配管中与排气管同样地从流速为0的管壁处向处理容器侧扩散，或者有时在晶圆的处理中由于处理容器内的压力的变动，气体从附属设备侧朝向处理容器侧扩散。那样，气体从辅助流路扩散时也有可能气体状态的三元类化合物以及二元类化合物变化成含有固体的金属的化合物而附着在晶圆上、处理容器内。

为了防止由上述的现象引起的合格率的下降，有时这样进行处理：将含有上述的卤素的气体供给到处理容器内之后，将仿真晶圆(非制品晶圆)输送到处理容器内，对该仿真晶圆进行蚀刻或者成膜处理，使上述金属附着在该仿真晶圆上而从处理容器内除去之后，将通常的晶圆输送到处理容器内，重新进行蚀刻、成膜处理。或者，也有时向处理容器内供给规定的气体，将附着在处理容器的壁面上的金属覆盖而形成防止该金属的飞散的膜之后，向处理容器内输送晶圆而进行处理。然而，不论使用仿真晶圆时，还是在处理容器内形成飞散防止膜时，都进行对半导体的制造没有用的处理，因此，生产率会下降，处理成本也会提高。

在日本国专利申请公开公报日本特开2002-222807号(JP2002-222807A)中记载有为了抑制晶圆的金属污染而利用铬氧化物来涂覆与气体接触的金属制构件。然而，因为上述的含有卤素的气体与铬氧化物反应，所以不能解决上述的问题。

发明内容

本发明提供一种能够在包括用于对被处理体进行处理的处理容器的处理装置中防止处理容器以及被处理体的金属污染的处理装置。