[发明专利]共栅极共源极放大器

权利要求书

1.一种用于放大输入电压以得到单端输出电压的方法，所述方法包含：

使用共栅极放大器来放大所述输入电压以产生共栅极输出电压；

使用共源极放大器来放大所述输入电压以产生共源极输出电压；及

使用差分块来产生所述共栅极输出电压与所述共源极输出电压之间的差以得到所述单端输出电压。

2.根据权利要求1所述的方法，所述产生所述差包含：

将所述共栅极输出电压耦合到第一差分晶体管的栅极；及

将所述共源极输出电压耦合到所述第一差分晶体管的源极；

所述单端输出电压耦合到所述第一差分晶体管的漏极。

3.根据权利要求2所述的方法，所述产生所述差进一步包含：

在所述第一差分晶体管的所述源极之前将级联晶体管耦合到所述共源极输出电压。

4.根据权利要求2所述的方法，所述产生所述差进一步包含：

将所述共栅极输出电压耦合到第二差分晶体管的栅极，所述第二差分晶体管与所述第一差分晶体管互补，所述第二差分晶体管的漏极耦合到所述第一差分晶体管的所述漏极；及

将所述共源极输出电压耦合到所述第一差分晶体管的所述源极。

5.根据权利要求1所述的方法，所述产生所述差包含：

将所述共栅极输出电压耦合到第一差分晶体管的所述源极；及

将所述共源极输出电压耦合到所述第一差分晶体管的所述栅极；

将所述单端输出电压耦合到所述第一差分晶体管的所述漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，所述产生所述差包含：

将所述共栅极输出电压耦合到差分对的第一差分晶体管的所述栅极，所述差分对进一步包含第二差分晶体管，所述第二差分晶体管具有耦合到所述第一差分晶体管的所述源极的源极，所述差分对进一步包含耦合到所述第一差分晶体管及所述第二差分晶体管的所述漏极的相应负载，所述差分对进一步包含尾电流源；

将所述共源极输出电压耦合到所述第二差分晶体管的所述栅极；及

将所述第一差分晶体管与所述第二差分晶体管的所述漏极之间的差分电压转换为所述单端输出电压。

7.根据权利要求1所述的方法，所述使用共栅极放大器来放大所述输入电压包含将所述输入电压耦合到共栅极晶体管的源极，所述共栅极晶体管的所述源极进一步耦合到电源阻抗，所述共栅极晶体管的漏极进一步耦合到负载阻抗。

8.根据权利要求7所述的方法，所述负载阻抗包含电感器，所述电源阻抗包含电感器。

9.根据权利要求1所述的方法，所述使用共源极放大器来放大所述输入电压包含：

将所述输入电压耦合到第一共源极晶体管的栅极，所述第一共源极晶体管的漏极耦合到第二共源极晶体管的漏极，所述第二共源极晶体管与所述第一共源极晶体管互补；及

将所述输入电压耦合到所述第二共源极晶体管的栅极。

10.根据权利要求1所述的方法，所述使用共源极放大器来放大所述输入电压包含使用级联晶体管来缓冲所述共源极放大器的输出。

11.一种用于放大输入电压以得到单端输出电压的设备，所述设备包含：

共栅极放大器，其经配置以放大所述输入电压从而产生共栅极输出电压；

共源极放大器，其经配置以放大所述输入电压从而产生共源极输出电压；

差分块，其经配置以产生所述共栅极输出电压与所述共源极输出电压之间的差从而得到所述单端输出电压。

12.根据权利要求11所述的设备，所述差分块包含：

第一差分晶体管，所述第一差分晶体管的栅极耦合到所述共栅极输出电压，所述第一差分晶体管的源极耦合到所述共源极输出电压，所述单端输出电压耦合到所述第一差分晶体管的漏极。

13.根据权利要求12所述的设备，所述差分块进一步包含：

级联晶体管，其耦合于所述共源极输出电压与所述第一差分晶体管的所述源极之间。

14.根据权利要求12所述的设备，所述差分块进一步包含：

第二差分晶体管，其与所述第一差分晶体管互补，所述第二差分晶体管的漏极耦合到所述第一差分晶体管的所述漏极，所述共栅极输出电压耦合到所述第二差分晶体管的栅极，所述共源极输出电压耦合到所述第二差分晶体管的源极。