[发明专利]芳香族胺衍生物及使用其的有机场致发光元件有效

专利信息
申请号: 201080012759.1 申请日: 2010-03-18
公开(公告)号: CN102356060A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 薮之内伸浩;加藤朋希;藤山高广;户谷由之 申请(专利权)人: 三井化学株式会社
主分类号: C07C211/61 分类号: C07C211/61;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 芳香族 衍生物 使用 机场 发光 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及芳香族胺衍生物及使用它们的有机场致发光(EL)元件,特别是涉及一种芳香族胺衍生物,所述芳香族胺衍生物具有特定的结构,且通过将非对称的芳香族胺衍生物用于空穴传输材料,能够提高效率,同时抑制分子的结晶化,提高在制造有机场致发光元件时的成品率,改善有机场致发光元件的寿命。

背景技术

有机场致发光元件是一种自发光元件,其利用的原理为:通过施加电场,在从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子的再结合能量的作用下荧光性物质进行发光。自从Eastman Kodak公司的C.W.Tang等报道了利用层合型元件的低电压驱动有机场致发光元件(参见非专利文献1)以来,关于以有机材料作为构成材料的有机场致发光元件的研究开始盛行。Tang等将三(8-羟基喹啉)铝用于发光层,将三苯基二胺衍生物用于空穴传输层。作为层合结构的优点,可以举出如下几方面:提高空穴向发光层中的注入效率;阻挡从阴极注入的电子,提高通过再结合生成的激子的生成效率;将发光层内生成的激子关在里面等。如上述例子所述,作为有机场致发光元件的元件结构,已经熟知的有空穴传输(注入)层、电子传输发光层的2层型、或空穴传输(注入)层、发光层、电子传输(注入)层的3层型等。上述层合型结构元件中,为了提高被注入的空穴与电子的再结合效率,对元件结构及形成方法进行了研究。

通常,在高温环境下驱动或保存有机场致发光元件时,会受到发光色的改变、发光效率的降低、驱动电压的升高、发光寿命的短时间化等不良影响。为了防止上述情况,需要提高空穴传输材料的玻璃化温度(Tg)。因此,空穴传输材料的分子内需要具有多个芳香族基团(例如参见专利文献1~2:专利文献1的芳香族二胺衍生物、专利文献2的芳香族稠环二胺衍生物),通常优选使用具有8~12个苯环的结构。

但是,分子内具有多个芳香族基团时,使用这样的空穴传输材料形成薄膜制作有机场致发光元件时,会产生下述问题:易于引起结晶化,从而堵塞蒸镀中使用的坩埚的出口,或者产生由结晶化引起的薄膜缺陷从而导致有机场致发光元件的成品率降低等。另外,一般认为,分子内具有多个芳香族基团的化合物虽然通常玻璃化温度(Tg)高,但是升华温度高,引起蒸镀时的分解及蒸镀不均匀地形成等现象,所以存在寿命短的问题。

另一方面,公开了含有具有芳基的芴的单胺衍生物(参见专利文献3~8)。专利文献3是关于感光体的专利文献。专利文献4~8是关于有机EL的专利文献,特别是专利文献8中记载了将含有芴的单胺化合物用于有机场致发光元件的空穴注入传输层的例子,但人们仍期望进一步提高性能。

如上所述,虽然有高效率、长寿命的有机场致发光元件的报道,但是仍强烈地期望开发出具有更优异的性能的有机场致发光元件。

专利文献1:美国专利第4,720,432号说明书

专利文献2:美国专利第5,061,569号说明书

专利文献3:日本特开平7-72639号公报

专利文献4:日本特开2002-154993号公报

专利文献5:日本特开2004-043349号公报

专利文献6:日本特开2003-261471号公报

专利文献7:日本特开2004-91350号公报

专利文献8:日本特开平11-144875号公报

非专利文献1:C.W.Tang,S.A.Vanslyke,Applied Physics Letters,51卷、913页、1987年

发明内容

本发明是为了解决上述课题而完成的,因此,本发明的目的在于提供一种即使暴露在高温环境下也能维持高的发光效率、驱动电压低、且发光寿命长的有机场致发光元件以及实现该有机场致发光元件的芳香族胺衍生物。

本发明人等为了实现上述目的进行了深入研究,结果提供了一种具有特定结构的新型芳香族胺衍生物。进而发现:在阴极和阳极间夹持有至少含有发光层的由一层或多层构成的有机薄膜层的有机场致发光元件中,该有机薄膜层的至少1层(特别是空穴传输层)中单独含有或作为混合物的成分含有所述芳香族胺衍生物时,可以得到理想的有机场致发光元件,从而完成了本发明。即,本发明的第1方面涉及如下所示的芳香族胺衍生物。

<1>下述通式(1)表示的芳香族胺衍生物。

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