[发明专利]光电子半导体部件

权利要求书

1.一种光电子半导体部件(1)，具有：

-外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)，

-至少一个势垒层(4)，其直接与所述有源层(3)邻接，

其中所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的材料组分和/或层厚度(B，D)沿着变化方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化，

以及其中沿着变化方向(L)通过所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的材料组分和/或层厚度(B，D)的变化调节在所述有源层(3)中产生的辐射的发射波长(λ)。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体部件(1)，所述光电子半导体部件是边发射半导体激光器或表面发射半导体激光器。

3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的材料组分和/或层厚度(B，D)仅仅在纵向方向(L)上、垂直于发射方向(E)并且垂直于生长方向(G)地变化，其中发射方向(E)横向于生长方向(G)取向。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中发射波长(λ)沿着变化方向或者沿着纵向方向(L)在辐射透射面(12)上改变至少5nm。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中发射波长(λ)沿着变化方向或沿着纵向方向(L)单调改变。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中发射波长(λ)沿着变化方向或者沿着纵向方向(L)周期性地和/或以阶跃函数形式改变。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中半导体本体(2)构建为一体式激光器条。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中所述至少一个有源层(3)沿着所述变化方向或沿着所述纵向方向(L)是连贯的。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，所述光电子半导体部件沿着变化方向或沿着纵向方向(L)具有多个电接触区域(7)，所述电接触区域构建用于电接触半导体本体(2)，并且其中接触区域(7)分别与确定的发射波长(λ)关联。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中半导体本体(2)沿着所述变化方向或沿着所述纵向方向(L)的伸展在3mm到30mm之间，其中包括端值，并且沿着发射方向(E)的伸展在1mm到10mm之间，其中包括端值。

11.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，所述光电子半导体部件构建用于产生至少30W的平均辐射功率。

12.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中所述有源层(3)和/或所述势垒层(4)的沿着所述变化方向或沿着所述纵向方向(L)的层厚度(B，D)在0.3nm到3.0nm之间变化，其中包括端值。

13.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，其中所述有源层(3)具有In，并且其中所述有源层(3)的In含量沿着所述变化方向或沿着所述纵向方向(L)在0.5个百分点到10个百分点之间变化，其中包括端值。

14.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体部件(1)，

-其中所述半导体本体(2)基于AlGaAs材料系，

-其中所述至少一个有源层(3)的In含量沿着所述纵向方向(L)变化至少0.5个百分点，

-其中发射波长(λ)沿着所述纵向方向(L)改变至少5nm，以及

-其中发射波长(λ)沿着所述纵向方向(L)线性改变。

15.一种用于泵浦激光介质(8)的装置，具有：

-根据上述权利要求之一所述的至少一个光电子半导体部件(1)，以及

-至少一种激光介质(8)，

其中所述激光介质(8)由半导体部件(1)以光学方式泵浦。