[发明专利]含CuInS2纳米颗粒的前体层的硒化

权利要求书

1.制造用于光电或电子应用的薄膜的方法，所述方法包括：

制造纳米晶体前体层，其包括CuInS₂、CuIn(S_y，Se_1-y)₂、CuGaS₂、CuGa(S_y，Se_1-y)₂、Cu(In_xGa_1-x)S₂和Cu(In_xGa_1-x)(S_y，Se_1-y)₂纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0；和

在含硒(Se)气氛中硒化所述纳米晶体前体层。

2.权利要求1的方法，其中所述纳米晶体前体层还包括以下的一种：

Cu、In、Ga、S和Se颗粒及其合金；

Cu、In、Ga、S和Se的氧化物颗粒及其组合；和

金属硫属元素化物颗粒，其中所述金属包括Cu、In和Ga中的一种及其组合，且其中所述硫属元素化物包括S、Se和Te中的一种的化合物。

3.权利要求1的方法，其中制造所述纳米晶体前体层包括用纳米晶体墨涂布基片，所述纳米晶体墨包括CuInS₂、CuIn(S_y，Se_1-y)₂、CuGaS₂、CuGa(S_y，Se_1-y)₂、Cu(In_xGa_1-x)S₂和Cu(In_xGa_1-x)(S_y，Se_1-y)₂纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0。

4.权利要求3的方法，其中用纳米晶体墨涂布所述基片包括以下的一种：将纳米晶体墨喷涂、喷墨印刷、丝网涂布和液滴涂布在所述基片的表面。

5.权利要求3的方法，其中制造所述纳米晶体前体层还包括用第二墨溶液涂布所述基片，其包括以下的一种：

Cu、In、Ga、S和Se颗粒及其合金；

Cu、In、Ga、S和Se的氧化物颗粒及其组合；和

Cu、In和Ga的硫属元素化物颗粒及其组合，其中所述硫属元素化物包括S、Se和Te中的一种的化合物。

6.权利要求5的方法，其中用所述纳米晶体墨和所述第二墨溶液涂布所述基片包括在基片上沉积所述纳米晶体墨和所述第二墨溶液的交替层。

7.权利要求5的方法，其中所述第二墨溶液还包括CuInS₂、CuIn(S_y，Se_1-y)₂、CuGaS₂、CuGa(S_y，Se_1-y)₂、Cu(In_xGa_1-x)S₂和Cu(In_xGa_1-x)(S_y，Se_1-y)₂纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0。

8.权利要求1的方法，其中制造所述纳米晶体前体层包括在基片上沉积第一墨溶液和第二墨溶液的交替层，其中第一和第二墨溶液中仅有一种包括CuInS₂、CuIn(S_y，Se_1-y)₂、CuGaS₂、CuGa(S_y，Se_1-y)₂、Cu(In_xGa_1-x)S₂和Cu(In_xGa_1-x)(S_y，Se_1-y)₂纳米颗粒中的一种及其组合，其中0≤x≤1且1≤y≤0。