[发明专利]有机齐纳二极管、电子电路以及用于运行有机齐纳二极管的方法

权利要求书

1.有机的齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在所述电极和所述对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，所述有机层系统包括下列有机层：

-电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层，所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成；

-对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层，所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述其它有机基质材料能选择地与在所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料相同；以及

-电未掺杂的有机中间层，所述电未掺杂的有机中间层布置在所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层和所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层之间。

2.根据权利要求1所述的齐纳二极管，其特征在于，所述n型掺杂物和/或所述p型掺杂物是分子掺杂物。

3.根据权利要求1或者2所述的齐纳二极管，其特征在于，所述电未掺杂的有机中间层具有单极性的载流子传输特性，从而使得呈电子形式的载流子的迁移率和呈空穴形式的载流子的迁移率是不同的。

4.根据权利要求1或者2所述的齐纳二极管，其特征在于，所述电未掺杂的有机中间层具有双极性的载流子传输特性，从而使得呈电子形式的载流子的迁移率和呈空穴形式的载流子的迁移率基本相同。

5.根据权利要求4所述的齐纳二极管，其特征在于，所述电未掺杂的有机中间层包含恰好一种有机材料或者由恰好一种有机材料构成。

6.根据权利要求4所述的齐纳二极管，其特征在于，所述电未掺杂的有机中间层包含多种有机材料的混合物或者由多种有机材料的混合物构成。

7.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，

-电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层以掺杂物与基质材料的比例为至少1mol％的方式包含有机基质材料和有机n型掺杂物；并且

-所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层以掺杂物与基质材料的比例为至少1mol％的方式包含有机基质材料和有机p型掺杂物。

8.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，电极侧的载流子注入层和对电极侧的载流子注入层分别借助金属离子来电掺杂。

9.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，所述有机基质材料和所述其它有机基质材料是相同的，并且所述电未掺杂的有机中间层包含相同的有机基质材料。

10.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，形成带有在大约1埃和大约100nm之间、优选在大约1nm和大约10nm之间的层厚度的电未掺杂的有机中间层。

11.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，下列层中的至少一个包含至少一种无机材料：所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层，所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层和所述电未掺杂的有机中间层。

12.根据前述权利要求中至少一项所述的齐纳二极管，其特征在于，有机层中的至少一个，即，所述电极侧的、电n型掺杂的载流子注入层，所述对电极侧的、电p型掺杂的载流子注入层和所述电未掺杂的有机中间层中的至少一个包含至少一种从下列有机材料组中选择出的有机材料：低聚物材料和聚合物材料。

13.电子电路系统，所述电子电路系统具有根据前述权利要求中至少一项所述的有机齐纳二极管和与之结合的存储元件。

14.用于在电子电路中运行根据权利要求1至12中至少一项所述的有机齐纳二极管的方法，其中，为在所述电子电路中接在所述有机齐纳二极管之后的器件构造保护状态，方式是：将施加到所述电极和所述对电极上的电压界定到所述齐纳二极管的击穿电压的数值上，并且借助于所述有机齐纳二极管引开由所施加的电压产生的电流。