[发明专利]R-T-B-M系烧结磁体用合金及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及R-T-B-M系烧结磁体用合金、R-T-B-M系烧结磁体用 合金的制造方法以及R-T-B-M系烧结磁体的制造方法。

背景技术

以R₂T₁₄B型化合物为主相的R-T-B-M系烧结磁体，已知作为永久磁 体中最高性能的磁体，在硬盘驱动器的音圈电机、混合动力汽车用发 动机等的各种发动机或家电制品等中使用。

R-T-B-M系烧结磁体，已知若用重稀土元素RH(Dy、Tb)取代 R₂T₁₄B相中的稀土元素R的一部分，则矫顽力提高。为了在高温下也得 到高的矫顽力，就需要大量添加重稀土元素RH。

但是，在R-T-B-M系烧结磁体中，若用重稀土元素RH取代轻稀 土元素RL(Nd、Pr)，则虽然矫顽力提高，但另一方面剩余磁通密度 下降。另外，由于重稀土元素RH是稀有的资源，所以其使用量不能 多。

因此，需要用较少的重稀土元素RH，不降低剩余磁通密度而有效 地提高R-T-B-M系烧结磁体的矫顽力。

在R-T-B-M系烧结磁体的组织中，正在研究通过有效分布重稀土 元素RH，即使添加少量的重稀土元素也能够提高矫顽力，并抑制剩余 磁通密度的降低。

在专利文献1、2中，公开了通过使用Dy浓度相对高的合金粉末 和Dy浓度相对低的合金粉末制作烧结磁石体，使Dy分布在烧结磁体 的粒界相附近。在专利文献1、2中，公开了如果Dy分布在烧结磁体 的粒界相附近，则磁体特性提高。

在专利文献3中，公开了通过在烧结磁石体的表面供给重稀土类 元素RH(选自Dy、Ho、Tb中的至少一种)，并且加热烧结磁石体， 使重稀土类元素RH从烧结磁石体的表面扩散到烧结磁石体的内部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平4-155902号公报

专利文献2：国际公开第2006/098204号

专利文献3：国际公开第2007/102391号

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1、2所记载的技术一般称为双合金法。由于难以得到作 为目的的Dy分布状态，或产生异常肥大的晶粒，所以仅限于小幅的磁 体的特性改善。

另外，由专利文献3的技术制作的烧结磁体，虽然几乎没有剩余 磁通密度的降低，能够制作矫顽力提高的高剩余磁通密度、高矫顽力 的R-Fe-B系烧结磁体，但由于将Dy从磁体表面扩散，所以难以使Dy 扩散到磁体内部。因此在能够应用的磁体的大小、用途上存在限制。

本发明的目的在于，制造一种用于形成磁体整体为高剩余磁通密 度、高矫顽力的烧结磁体的R-T-B-M系烧结磁体的R-T-B-M系烧结磁 体用合金。

用于解决课题的方法

本发明的R-T-B-M系烧结磁体用合金具有以下的组成：12～17原 子％的R(R是稀土元素，R包含轻稀土元素RL、重稀土元素RH两者， 作为轻稀土元素RL必须含有Nd、Pr中的任一种，作为重稀土元素RH 必须含有Tb、Dy、Ho中的至少一种)、5～8原子％的B(可以用C取代 B的一部分)、2原子％以下的添加元素M(选自Al、Ti、V、Cr、Mn、 Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Pb和Bi 中的至少一种)、剩余部分是T(T是以Fe为主的过渡金属，可以含有 Co)和其他不可避免的杂质。在主相R₂T₁₄B化合物的结晶和富R相的界 面，沿上述R₂T₁₄B化合物的结晶长轴方向连续在10μm以上的长度上具 有重稀土元素RH的浓度高的区域。