[发明专利]构成机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵的部件的表面处理方法及通过该表面处理方法处理过的机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵

说明书

技术领域

本发明涉及露出于气体流道的由铝或铝合金构成的机械增压泵、 涡轮分子泵或干式泵(ドライポンプ)的部件的表面处理方法及由通 过该表面处理方法处理过的部件构成的机械增压泵、涡轮分子泵或干 式泵。

背景技术

作为现有的干式泵的构造，已知例如如图1所示，在连接以与机 壳1的侧面对置的方式配置的进气口2及排气口3的流道中，设置转 子室4，在该转子室4内，设置由通过电动机5驱动的旋转轴6轴支 承的转子7～12，由此构成螺旋型的构造。另外，在图示的构造中， 在转子室4内连接有用于导入通过加热装置13加热的空气或干燥氮气 等的气镇14，另外，在旋转轴6的周边形成有用于导入轴封气体的轴 封气体导入通道15。

在上述构造中，从真空腔室吸进的气体从进气口2通过转子室4， 从排气口3排出，在此期间，气体与进气口2、转子7～12、转子室4 和排气口3等的表面接触，在所吸进的气体具有腐蚀性的情况下，通 常会在各部件的表面进行铝表面钝化处理(例如，参照专利文献1)。

但是，在铝表面钝化处理的情况下，因为在部件表面形成多孔型 的氧化膜，所以从该膜放出的气体量多，存在使真空泵的排气效率降 低这样的问题。另外，铝表面钝化处理过的部件当被加热至120℃左 右时，存在可能在膜上产生裂纹而使耐蚀性降低这样的问题。还存在 在吸进含有氯的气体那样的情况下，在短时间内部件也会发生腐蚀这 样的问题。

另一方面，宽带隙化合物半导体即GaN作为发光二极管(LED)或功 率器件，用MBE和MOCVD制造，伴随着批量生产，会大量消费MBE原 料即金属Ga、或者MOCVD原料有机金属即三甲基镓(TMG)或三乙基镓 (TEG)。不过，若反应性高的Ga与Al接触的话，则会溶化而变成汞齐 化状态，因此，会有不能使用铝和铝合金制造原料及未反应的Ga流动 的配管及结构部件这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2006-257908号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明的目的是为了解决上述课题，提供一种耐蚀性优异 且放出气体少的构成机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵的部件的表面 处理方法及通过该表面处理方法处理过的机械增压泵、涡轮分子泵或 干式泵。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明人等潜心研究的结果发现了如下所述 的解决手段。

即本发明的构成机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵的部件的表面 处理方法的第一解决手段，其特征为，构成机械增压泵、涡轮分子泵 或干式泵的部件由铝或铝合金构成，将所述部件表面浸渍于碱性溶液 中，进行微弧氧化处理。

另外，第二解决手段的特征为，所述碱性溶液是将磷酸氢二钠、 三聚磷酸钠、磷酸二氢钠、多聚磷酸钠(ウルトラポリリン酸ナトリ ウム)、硅酸钠、氢氧化钾、二磷酸钠、磷酸三钠、铝酸钠、偏硅酸 钠及氢氧化钠等中的一种或它们中的混合物溶解于水中，使其浓度为 0.1％～5％。

另外，第三解决手段的特征为，使所述微弧处理中的施加电压为 300V～600V的范围，使电流密度为3.0A/dm²～10A/dm²。

另外，第四解决手段的特征为，使所述碱性溶液的温度为5～ 90℃。

另外，第五解决手段的特征为，使通过所述处理在部件表面形成 的氧化膜的膜厚为12μm～15μm。

另外，本发明的机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵，其特征为， 由通过上述表面处理方法处理过的部件构成。

发明的效果

根据本发明，构成机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵的部件表面 由铝或铝合金构成，并对该表面进行微弧氧化处理，由此得到对于具 有腐蚀性的气体的排气耐蚀性优异、放出气体量少的干式泵。而且， 如利用该机械增压泵、涡轮分子泵或干式泵，可有效地进行抽吸。另 外，成为对于含有Ga的气体耐蚀性优异的装置。

附图说明

图1是现有的干式泵的概略构成图；

图2是机械增压泵的概略构成图；

图3是测定实施例1及比较例1的气体放出特性的曲线图；

图4是实施例1及比较例1的加热后的表面SEM图像；

图5是测定实施例1及比较例1的对于盐酸的耐蚀性的曲线图；