[发明专利]新电介质氧化膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080013309.4 申请日: 2010-03-23
公开(公告)号: CN102362315A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 马克·菲利普斯;特拉维斯·托马斯;所罗·弗格森 申请(专利权)人: SBA材料有限公司
主分类号: H01B3/10 分类号: H01B3/10;C01B13/18;C01G1/02;C01G23/08;C03C3/108
代理公司: 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 代理人: 尚志峰;汪海屏
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电介质 氧化 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造金属氧化物材料的方法,包括:

a)从包括环氧化物、金属氧化物前体以及溶剂的混合物中产生溶 胶;以及

b)由所述溶胶制备金属氧化物材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述前体是过渡金属的 醇盐或盐,或者是与无机或有机配位体结合的过渡金属离子。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述前体是异丙氧基钛、 乙醇钽、正丙醇锆、乙氧醇铌、或乙醇铪。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述混合物还包括至少一 种改性剂。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述改性剂是过渡金属的 醇盐或盐,或是与无机或有机配位体结合的过渡金属,或其组合。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述改性剂是醋酸铅 (II)、Ba(ClO4)2、Bi(NO3)3或Al(NO3)3

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述混合物还包括共溶 剂。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述混合物还包括水。

9.根据权利要求1所述的方法,其中所述混合物还包括玻璃形 成氧化物前体。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述玻璃形成氧化物前体 是无机玻璃形成氧化物前体。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述玻璃形成氧化物前体 是有机玻璃形成氧化物前体。

12.根据权利要求9所述的方法,其中所述玻璃形成氧化物前体 是H3BO3、硼酸三乙酯、原硅酸四乙酯、H3PO4、异丙醇锗、 H3AsO4、AsCl3、乙醇碲或TeBr4

13.根据权利要求9所述的方法,其中所述玻璃形成氧化物是 SiO2、B2O3、P2O5、GeO2、As2O3或TeO2

14.根据权利要求9所述的方法,其中所述金属氧化物材料包 括:金属氧化物或包括玻璃态的金属氧化物和非金属氧化物的混合 物;或被玻璃态环绕的结晶氧化物的纳米级颗粒。

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述玻璃态是顺电的。

16.根据权利要求14所述的方法,其中所述玻璃态包括形成具 有10或更高的介电常数κ的材料的金属氧化物或金属氧化物和非金 属氧化物的混合物。

17.根据权利要求14所述的方法,其中所述玻璃态包括形成具 有300或更小的介电常数κ的材料的金属氧化物或金属氧化物和非金 属氧化物的混合物。

18.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物材料具有 大约1.45至大约2.6的折射率n。

19.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物材料是铁 电的、磁性的或多铁性的。

20.根据权利要求1所述的方法,其中所述金属氧化物材料是薄 层膜、糊状物、单块或纤维的形式。

21.根据权利要求1所述的方法,其中制备包括干燥所述溶胶来 产生膜,然后烘焙所述膜,退火所述膜,或者既烘焙又退火所述膜。

22.根据权利要求21所述的方法,其中退火包括使用激光来加 热所述膜。

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