[发明专利]碳化硅双极结晶体管无效
| 申请号： | 201080013483.9 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102362353A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 马丁·多梅杰 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/10;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅(SiC)双极结晶体管(BJT)，其特征在于，所述晶体管 上的发射极触点和基极触点之间的表面区域被给予相对于块体SiC 中电势的负表面电势，所述晶体管包括位于被用于表面钝化的介电 层上的导电层，所述导电层在这里被称为表面电极，所述表面电极 能够由诸如金属或高掺杂多晶硅的导电材料构成，并且，相对于所 述表面内侧的块体SiC，所述表面电极被提供有负电势。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，通过将所述表面电极 连接至所述发射极触点，相对于所述表面内侧的所述块体SiC，所 述表面电极被提供有负电势。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，通过施加相对于下层 块体SiC的外部负电势，相对于所述表面内侧的所述块体SiC，所 述表面电极被提供有负电势。
4.根据前述任一项权利要求所述的晶体管，其特征在于，所述介电层 由位于所述表面电极和所述SiC之间的二氧化硅构成。
5.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述介电层的厚度是 10至30nm的数量级。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080013483.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢桶封闭器
- 下一篇：一种有效的双输出电源纹波系数控制电路
- 同类专利
- 专利分类
