[发明专利]具有高温可旋转靶的沉积设备及该设备的操作方法

权利要求书

1.一种在基板上溅射材料的沉积设备(100)，该沉积设备包含：

基板固持件(110)，用以固持该基板；

可旋转靶(120)，适于受溅射；

加热系统，具有：

背侧加热(130)，用以从背侧加热该基板；以及

前侧加热，用以从前侧加热该基板；

其中该可旋转靶用作该前侧加热；以及

其中该前侧加热适于将该基板加热到至少100℃的温度。

2.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，所述可旋转靶包含靶材管(121)及磁性元件(122)。

3.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，其中该沉积设备还包括冷却系统(124)，该冷却系统被设置在该可旋转靶内以便冷却该靶的内部。

4.如权利要求3所述的沉积设备，其中该冷却系统适于使该磁性元件保持在低于80℃的温度处。

5.如权利要求4或5所述的沉积设备，更包含控制反馈回路以便控制该可旋转靶的冷却系统(124)。

6.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，其中该加热系统更包含外部加热系统，该外部加热系统被设置在该沉积设备前方。

7.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，该沉积设备还具有冷却系统，该冷却系统与该沉积设备连结设置。

8.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，适于在晶片上沉积一层。

9.如上述权利要求中的任一项所述的沉积设备，更包含至少一个另外的可旋转靶，该可旋转靶和该至少一个另外的可旋转靶用作前侧加热。

10.一种在沉积设备中的基板上沉积一层沉积材料的方法，该方法包含：

固持基板：

使可旋转靶旋转；

使材料溅射到该基板上；

藉由从前侧加热该基板，将该基板加热到至少100℃的温度；以及

使用该可旋转靶以便从前侧加热该基板。

11.如权利要求10所述的方法，更包含冷却该靶的内部。

12.如权利要求10或11所述的方法，更包含

操作磁性元件，该磁性元件被设置在该可旋转靶内；

将该磁性元件保持在低于80℃的温度处。

13.如权利要求10-12中的任何一项所述的方法，更包含在将该基板馈送至该沉积设备之前加热该基板。

14.如权利要求10-13中的任何一项所述的方法，更包含冷却该沉积设备的步骤。

15.如权利要求10-14中的任何一项所述的方法，其中被固持的基板是晶片。