[发明专利]使用L形间隔部之非对称场效晶体管的制造和结构

权利要求书

1.一种由具有第一导体类型的主体材料的半导体主体来制造包括场效晶体管的结构的方法，该方法包括：

在该主体材料中预期要成为通道区带的部分上方定义栅极电极且利用栅极介电层将该栅极电极与该部分的主体材料垂直隔开，从而该栅极电极具有相对的第一横向侧与第二横向侧；

使用该栅极电极及其横向侧中的任何材料作为掺杂物阻隔挡板将该第一导体类型的袋半导体掺杂物引入该主体材料中，用以定义该主体材料的前躯物袋部，该前驱物袋部掺杂程度重过该主体材料的横向相邻材料且实质上仅在该栅极电极的多个横向侧中的第一横向侧下方延伸；

沿该栅极电极的第一横向侧中提供第一间隔部，使该第一间隔部包括(i)位于该栅极电极的第一垂直延伸介电间隔部部分、(ii)接续该第一垂直延伸间隔部部分且位于该半导体主体的第一横向延伸介电间隔部部分，以及(iii)大部分处于第一垂直延伸间隔部部分与第一横向延伸间隔部部分之间的空间的第一填充间隔部部分；

接着使用该栅极电极、该第一间隔部及该栅极电极的横向侧中的任何其它材料作为掺杂物阻隔挡板将与该第一导体类型相反的第二导体类型的主要源极/漏极(S/D)半导体掺杂物引入该半导体主体中，用以定义该第二导体类型的第一主要S/D部与第二主要S/D部，使得(i)该通道区带位于该主要S/D部之间，以及(ii)该第一导体类型的另一袋部包括该前躯物袋部之至少一部分的材料且延伸到该第一主要S/D部以使得该通道区带纵向不对称；

接着大部分移除该第一填充间隔部部分；以及

形成分别连接至所述主要S/D部的一对电气接点。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包含，在该栅极电极定义动作与间隔部提供动作之间，使用该栅极电极及其横向侧中的任何材料作为掺杂物阻隔挡板，来将该第二导体类型的第一S/D延伸区半导体掺杂物引入该半导体主体中以定义该第二导体类型的前躯物第一横向S/D延伸区，使得在完成该结构的制造后，(i)该第二导体类型的第一S/D区带包括该第一主要S/D部及横向邻接的另一第一横向S/D延伸区，该横向邻接的另一第一横向S/D延伸区的掺杂程度轻过该第一主要S/D部且由该前躯物第一S/D延伸区中的至少一部分的材料所构成，以及(ii)该另一第一S/D延伸区部分横向延伸在该栅极电极的下方。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

该方法进一步包含，在该栅极电极定义动作与间隔部提供动作之间，使用该栅极电极及其横向侧中的任何材料作为掺杂物阻隔挡板而将该第二导体类型的第二S/D延伸区半导体掺杂物引入该半导体主体中，用以定义该第二导体类型的前躯物第二横向S/D延伸区；

该间隔部提供动作包含沿着该栅极电极的第二横向侧提供第二间隔部，使得该第二间隔部包括(i)位于该栅极电极的第二垂直延伸介电间隔部部分、(ii)接续该第二垂直延伸间隔部部分且位于该半导体主体的第二横向延伸介电间隔部部分，以及(iii)大部分占据该第二垂直延伸间隔部部分与第二横向延伸间隔部部分之间的空间的第二填充间隔部部分；以及

该填充间隔部部分移除动作包含移除该第二填充间隔部部分，使得在完成该结构的制造后，(i)该第二导体类型的第二S/D区带包括该第二主要S/D部及横向邻接的另一第二横向S/D延伸区，该横向邻接的另一第二横向S/D延伸区的掺杂程度轻过该第二主要S/D部且由该前躯物第二S/D延伸区中的至少一部分的材料所构成，(ii)该另一第二横向S/D延伸区部分横向延伸在该栅极电极的下方，以及(iii)该通道区带沿着该栅极介电层终止于该另一S/D延伸区。

4.如权利要求2或3所述的方法，其进一步包含，在该间隔部提供动作前，将该第一导体类型的第一阱半导体掺杂物及该第二导体类型的第二阱半导体掺杂物引入该半导体主体中，以分别定义该第一导体类型与第二导体类型各自的第一阱区与第二阱区，使得该阱掺杂物各自的浓度分别在彼此横向隔开的一对个别横向延伸子表面位置处于该阱区里面达到各自的最大浓度，使得在完成该结构的制造后，(i)该第一S/D区带位于该第一阱区的最大浓度的子表面位置的上方，(ii)该第二导体类型的第二S/D区带包括该第二主要S/D部及该第二阱区中位于该第二主要S/D部外面的邻接材料，(iii)该信道区带横向分离该S/D区带，以及(iv)该半导体主体的阱分离部分分离该阱区且掺杂程度轻过每一个阱区。