[发明专利]对源极/漏极延伸区、晕环袋和栅极电介质厚度具有不同组态的类极性场效应晶体管的结构和制造

权利要求书

1.一种结构，其包括多个类极性场效应晶体管(FET)，所述FET 沿着具有第一导电类型的主体材料的半导体主体的上表面进 行设置，每一个FET均包括：

所述主体材料的沟道区带；

第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着所述半导体主 体的上表面设置于所述半导体主体中、被所述沟道区带横向分 离且为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和所述主体 材料形成各自的pn结，每一个S/D区带均包括主S/D部及掺 杂程度较轻的横向S/D延伸区，所述掺杂程度较轻的横向S/D 延伸区横向接续所述主S/D部且横向延伸在所述栅极电极的 下方，使得所述沟道区带沿着所述主体的上表面终止于所述 S/D延伸区；

栅极介电层，其叠置于所述沟道区带上；以及

栅极电极，其叠置于所述沟道区带上方的栅极介电层上， 其中(a)所述FET中第一FET的S/D区带的S/D延伸区的 构造和/或组态不同于所述FET中第二FET的S/D区带的S/D 延伸区，且(b)所述第一FET的S/D区带中一指定S/D区带 的S/D延伸区的掺杂程度重于所述第二FET的S/D区带中一 指定S/D区带的S/D延伸区。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述FET中一FET的栅极介 电层的厚度明显不同于所述FET中另一FET的栅极介电层。

3.如权利要求1或2所述的结构，其中所述主体材料中掺杂程度 重于所述主体材料之横向相邻材料的袋部大部分仅沿着所述 FET中一FET的S/D区带中的一个S/D区带延伸到其沟道区 带中，致使所述FET的沟道区带相对于其S/D区带不对称。

4.如权利要求1或2所述的结构，其中所述主体材料中掺杂程度 重于所述主体材料之横向相邻材料的一对袋部分别沿着所述 FET中一FET的S/D区带延伸到其沟道区带中。

5.如权利要求1或2所述的结构，其中所述第一FET的指定S/D 区带的S/D延伸区的掺杂程度重于所述第一FET的S/D区带 中其余一个S/D区带的S/D延伸区。

6.如权利要求5所述的结构，其中所述主体材料中掺杂程度重于 所述主体材料之横向相邻材料的袋部大部分仅沿着所述第一 FET的指定S/D延伸且延伸到其沟道区带中，致使所述第一 FET的沟道区带相对于其S/D区带不对称。

7.如权利要求5所述的结构，其中相较于所述第一FET的其余 S/D区带的S/D延伸区，所述第一FET的指定S/D区带的S/D 延伸区延伸在所述主体的上表面下方比较不深的地方。

8.如权利要求7所述的结构，其中所述第一FET的指定S/D区 带的S/D延伸区的掺杂程度也重于所述第二FET的S/D区带 中其余一个S/D区带的S/D延伸区。

9.如权利要求5所述的结构，其中：

所述第一FET的指定S/D区带的S/D延伸区的掺杂程度 重于所述FET的第三FET的两个S/D延伸区；以及

所述第三FET的栅极介电层的厚度明显不同于所述第二 FET的栅极介电层。

10.如权利要求1或2所述的结构，其中所述第一FET的每一个 S/D区带的S/D延伸区的掺杂程度重于所述第二FET的每一 个S/D区带的S/D延伸区。

11.如权利要求10所述的结构，其中相较于所述第二FET的每一 个S/D区带的S/D延伸区，所述第一FET的每一个S/D区带 的S/D延伸区延伸在所述主体的上表面下方比较不深的地方。

12.如权利要求10所述的结构，其中所述主体材料中掺杂程度重 于所述主体材料之横向相邻材料的一对袋部分别沿着所述第 一FET的S/D区带延伸到其沟道区带中。