[发明专利]金属氮化膜的成膜方法和存储介质

权利要求书

1.一种金属氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括：

向处理容器内搬入被处理基板，将所述处理容器内保持于减压状 态的工序；

将所述处理容器内的被处理基板保持于400℃以下的温度的工序； 和

向所述处理容器内交替地供给金属氯化物气体和肼类化合物气 体，在被处理基板上形成金属氮化膜的工序。

2.如权利要求1所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

所述金属氯化物为TiCl₄，肼类化合物为单甲基肼，金属氮化膜为 TiN膜。

3.如权利要求2所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

所述得到的TiN膜为以TiN结晶为主体的膜。

4.如权利要求2所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

所述得到的TiN膜为以非晶形为主体的膜。

5.如权利要求1所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

向所述处理容器内供给金属氯化物气体，清扫所述处理容器内， 向所述处理容器内供给肼类化合物气体，清扫所述处理容器内，以此 作为1个循环，进行1个循环或重复多个循环。

6.一种金属氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括：

向处理容器内搬入被处理基板，将所述处理容器内保持于减压状 态的工序；

将所述处理容器内的被处理基板在大于330℃、400℃以下加热的 工序；和

向所述处理容器内交替地供给TiCl₄气体和单甲基肼气体，在被处 理基板上形成以TiN结晶为主体的TiN膜的工序。

7.如权利要求6所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

向所述处理容器内供给TiCl₄气体，清扫所述处理容器内，向所述 处理容器内供给单甲基肼气体，清扫所述处理容器内，以此作为1个 循环，进行1个循环或重复多个循环。

8.一种金属氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括：

向处理容器内搬入被处理基板，将所述处理容器内保持于减压状 态的工序；

将所述处理容器内的被处理基板在230℃以上、330℃以下加热的 工序；和

向所述处理容器内交替地供给TiCl₄气体和单甲基肼气体，在被处 理基板上形成以TiN结晶为主体的TiN膜的工序。

9.如权利要求8所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

向所述处理容器内供给TiCl₄气体，清扫所述处理容器内，向所述 处理容器内供给单甲基肼气体，清扫所述处理容器内，以此作为1个 循环，进行1个循环或重复多个循环。

10.一种金属氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括：

向处理容器内搬入被处理基板，将所述处理容器内保持于减压状 态的工序；

将所述处理容器内的被处理基板加热至50℃以上、低于230℃的 温度的工序；和

向所述处理容器内交替地供给TiCl₄气体和单甲基肼气体，在被处 理基板上形成以非晶形为主体的TiN膜的工序。

11.如权利要求10所述的金属氮化膜的成膜方法，其特征在于：

向所述处理容器内供给TiCl₄气体，清扫所述处理容器内，向所述 处理容器内供给单甲基肼气体，清扫所述处理容器内，以此作为1个 循环，进行1个循环或重复多个循环。