[发明专利]暴露焊盘背面压力传感器封装

权利要求书

1.一种封装压力传感器，包括：

暴露管芯标志，在所述暴露管芯标志中形成有通气孔；

压力传感器变换器管芯，所述压力传感器变换器管芯包括：在所 述压力传感器变换器管芯的背面上形成的传感器隔膜和在所述压力传 感器变换器管芯的顶面上形成的传感器电路，其中，所述压力传感器 变换器的所述背面被附接到所述暴露管芯标志，使得所述传感器隔膜 通过所述暴露管芯标志中的所述通气孔直接向环境通气；

一个或多个电连接器，所述一个或多个电连接器被电耦合到在所 述压力传感器变换器管芯的所述顶面上形成的所述传感器电路；以及

模制主体，所述模制主体至少部分地形成在所述电连接器周围和 所述压力传感器变换器管芯周围而不覆盖所述暴露管芯标志，其中， 所述模制主体保护在所述压力传感器变换器管芯的所述顶面上形成的 所述传感器电路免受腐蚀性外部环境条件影响。

2.根据权利要求1所述的封装压力传感器，进一步包括：保护性 凝胶，保护性凝胶覆盖所述压力传感器变换器管芯的所述顶面的至少 一部分，而不覆盖所述背面上的所述传感器隔膜。

3.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述暴露管芯 标志相对于形成至少一部分所述电连接器的多个引线框架元件凹陷， 使得所述多个引线框架元件延伸通过所述模制主体的侧表面，而所述 模制主体的底表面被形成为与所述暴露管芯标志齐平。

4.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述压力传感 器变换器管芯包括压阻式变换器管芯。

5.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述压力传感 器变换器管芯包括压阻式变换器管芯，所述压阻式变换器管芯由单晶 硅衬底层形成，在所述单晶硅衬底层中形成有开口以限定所述传感器 隔膜。

6.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述一个或多 个电连接器包括：

一个或多个接合焊盘，所述一个或多个接合焊盘形成在所述压力 传感器变换器管芯的所述顶面上；

导线连接器，所述导线连接器被连接到所述一个或多个接合焊盘 中的每一个；以及

引线框架元件，所述引线框架元件被连接到每个导线连接器，其 中，所述引线框架元件延伸通过所述模制主体。

7.根据权利要求1所述的封装压力传感器，其中，所述模制主体 包括QFN(方形扁平无引线)、SOIC(小外形集成电路)、QFP(方形扁平 封装)或LGA(触点栅格阵列)封装主体。

8.一种用于封装暴露压力传感器的方法，包括：

将压阻式变换器管芯附接到管芯标志，使得在所述压阻式变换器 管芯的背面上形成的传感器隔膜通过在所述管芯标志中形成的通气孔 通气；

将在所述压阻式变换器管芯的顶面上形成的电路电连接到一个或 多个电连接器；以及

至少部分地在所述一个或多个电连接器周围和所述压阻式变换器 管芯周围形成模制主体，以至少覆盖所述压阻式变换器管芯的所述顶 面上的所述电路并且使所述管芯标志暴露，其中，所述模制主体保护 在所述压阻式变换器管芯的所述顶面上形成的所述电路免受外部环境 条件影响。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述压阻式变换器管芯 附接到所述管芯标志的步骤包括：管芯将所述压阻式变换器管芯的所 述背面接合到引线框架，使得在所述压阻式变换器管芯的所述背面上 形成的所述传感器隔膜与在所述管芯标志中形成的所述通气孔对准。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述压阻式变换器管 芯附接到所述管芯标志的步骤包括：将所述压阻式变换器管芯的所述 背面附着于引线框架，所述引线框架包括凹陷管芯标志，所述凹陷管 芯标志相对于多个引线框架元件凹陷，使得所述模制主体的底表面与 形成有所述通气舱的所述凹陷管芯标志齐平。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述压阻式变换器管芯 包括单晶硅衬底层，所述单晶硅衬底层具有背面表面，在所述背面表 面中形成了开口以限定所述传感器隔膜。