[发明专利]化学机械研磨(CMP)浆料的使用点回收系统无效
申请号: | 201080013937.2 | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN102365716A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·纽伯;菲尔·钱德勒;克利福德·斯托;丹尼尔·O·克拉克;迈克·科菲尔;加米尔·莱斯顿 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 cmp 浆料 使用 回收 系统 | ||
1.一种用于回收的装置,包括:
分离单元,其包括:
入口,作用是收纳用过的研磨浆料、冲洗流体及研磨废料的混合 物;
水出口,作用是输出第一流体以便进行废料或水回收;及
浆料出口,作用是输出第二流体以便进行浆料回收研磨;以及
浆料过滤单元,其包括:
入口,与所述分离单元的所述浆料出口连接;
一种或多种过滤介质,用来过滤或移除离子及有机物;及
泵,布置在所述一种或多种过滤介质上游并用来对流体加压以使 其穿过所述一个或多个薄膜;
产物出口,用来输出浓缩并回收的研磨浆料流;及
水出口,用于水回收或废料。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述分离单元包括换向阀,所 述换向阀可以选择性地将所述入口连接至所述水出口或所述浆料出口。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述浆料过滤单元的所述泵为 下列之一:活塞泵、隔膜泵、风箱泵、蠕动泵、磁浮离心泵及用于通过真 空抽吸或增压而传递流体的设备。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述浆料过滤单元的所述过滤 介质为以闭端过滤法、逆流冲洗过滤法或交叉流动过滤法操作的螺旋膜、 中空纤维膜、管状膜、板框式膜,或者是通过深度过滤操作的过滤介质。
5.根据权利要求2所述的装置,其中,所述浆料过滤单元包括以下一 种或多种:微滤膜、纳米滤膜及超滤膜,并且所述浆料过滤单元还包括回 洗或交叉流动清洁能力。
6.根据权利要求2所述的装置,还包括:
UV(紫外线)单元,作用是使流过所述UV单元的流体中细菌及有机 污染减少,其中,所述UV单元包括:
入口,与所述分离单元的所述水出口及/或所述浆料过滤单元的所 述水出口连接;及
出口,作用是输出卫生清洁处理过的流体,以及
水处理单元,作用是通过移除痕量化学物质来净化所述卫生清洁处理 过的流体,其中,所述处理单元包括:
入口,连接到所述UV单元的出口;及
出口,用来输出净化流体。
7.根据权利要求2所述的装置,还包括定量加料单元,所述定量加料 单元连接到所述浆料过滤单元,以便在所述浆料过滤单元处理期间定量加 料调节化学物质。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述分离单元是过滤单元,其 包括:
过滤介质,其包括:
微滤膜;及
纳米滤膜,其布置在所述微滤膜下游;以及
泵,其布置在所述微滤膜上游并用来对流体加压使其穿过所述过滤介 质,其中,所述浆料出口布置在所述微滤膜与所述纳米滤膜之间,并且所 述分离单元的所述水出口布置在所述过滤介质下游。
9.根据权利要求1所述的装置,还包括离心分离器,用来分离聚合的 或大的粒子,其中,所述离心分离器布置在所述分离单元的上游或下游。
10.一种用于回收研磨流体的方法,包括以下步骤:
由用过的研磨浆料、冲洗流体及研磨废料的混合物产生废水流及浓缩 流;
使所述浓缩流过滤穿过浆料过滤单元以便从水流中分离出可再次使用 的研磨浆料流;
使所述可再次使用的研磨浆料流流到研磨站的研磨浆料源中;及
使所述水流流至回收水源中。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,产生所述废水流及所述浓缩 流的步骤包括以下步骤:使所述混合物过滤穿过具有多个薄膜的过滤单元 或使用换向阀选择性地引导所述混合物至浆料出口及水出口。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括以下步骤:在使所述可再次 使用的研磨浆料流流至研磨站的研磨浆料源之前,测量所述可再次使用的 研磨浆料的一个或多个特性,其中,所述可再次使用的研磨浆料的所述一 个或多个特性包括以下一种或多种:zeta电位、密度、粒度及粒子分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造